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8GB Kit (2x 4GB) Asus A52F Arbeitsspeicher DDR3 SODIMM Ram 1333 MHz Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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8GB Kit (2x 4GB) Asus A52F Arbeitsspeicher DDR3 SODIMM Ram 1333 MHz Speicher
- MarkeBEST Electronics
- ProduktartDDR3 SDRAM
- HerstellernummerBEST305761-2x
- FormfaktorDIMM 204-pol
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität8GB
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- AngebotspaketNein
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Pins204
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC Speicher, Unbuffered
- EAN4054533897756
- Artikelnr.135959112670
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37,60
Maximaler Arbeitsspeicher: 8GB. Neuere Speicher Technologien, bzw. Das Modul wurde von uns für Asus A52F zertifiziert und freigegeben. Er entspricht dessen Qualitäts - und Systemanforderungen. Standard Speicher ab Werk: 2GB or 4GB removable.
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Micron DDR4 4GB DDR4 RAM Arbeitsspeicher SO DIMM 3200 MHz CL22 1,2 Volt
- HerstellernummerMTA4ATF51264HZ-3G2R1
- MarkeMicron Technology
- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
- EAN0688187942254
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.35V Notebook Laptop Speicher
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360570234
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2x 4GB 8GB DDR3 2Rx8 Notebook RAM Speicher 1066 Mhz SO DIMM PC3-8500S CL7
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- HerstellernummerM471B5273BH1-CF8 (kompatibel)
- MarkeSamsung, Micron oder Hynix Chip
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4053044712114
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4GB DDR2 RAM SO-DIMM PC2-5300S 2Rx8 667MHz Laptop Speicher Intel AMD (2x 2GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
- UnbufferedJA
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4GB DDR3L 1,35V 1600 SO-DIMM Transcend TS512MSK64W6H-I Notebook Speicher NEU
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- HerstellernummerTS512MSK64W6H
- MarkeTranscend
- ProduktartDDR3L
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module20
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- EANnichtzutreffend
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SK Hynix 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22 RAM Arbeitsspeicher Notebook NUC PC
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Pins260
- HerstellernummerHMA851S6DJR6N-XN
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4GB HYNIX DDR3L SO DIMM RAM 1600 Mhz HMT451S6AFR8A-PB PC3L-12800S Notebook 1.35V
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- HerstellernummerHMT451S6AFR8A-PB
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4053044739456
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2x 4GB 8GB DDR4 NotebookNUC RAM PC4-2400T-S Micron 2400 Mhz SO DIMM SODIMM
- Ausländisches ProduktNein
- MarkeHynix
- Gesamtkapazität8GB
- HerstellernummerHMA851S6AFR6N-UH 2x
- Kapazität pro Modul4GB
- AngebotspaketNein
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- BesonderheitenUnbuffered
- MPNHMA851S6AFR6N-UH 2x
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
- Modifizierter ArtikelNein
- Herstellungsland und -regionChina
- EAN4053044790808
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4GB Ram Speicher passend für Synology DiskStation DS220, DDR4 SO DIMM 2666MHz
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Anzahl der Pins260
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
- HerstellernummerS0DDR4-0424DK444R320532
- Markedekoelektropunktde
- ModellDXRSOD4
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4061727900482
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4GB DDR4 RAM PC4-2133P SO-DIMM 1Rx8 2133 MHz 1.2V Notebook Laptop Speicher CL15
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D4-4G-SO-2133-N
- BusgeschwindigkeitPC4-2133P (DDR4-2133)
- SpeicherbandbreitePC4-2133P (DDR4-2133)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Bustaktrate2133 MHz
- Speicher-SpezifikationPC4-2133P
- JEDEC NormPC4-2133P
- Spannung1.2V
- Chip-Anordnung1Rx8
- Latenz (CL)CL15
- CAS-LatenzCL15
- UnbufferedJA
- EAN4262360572030
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G.Skill SL Series SO-DIMM 4 GB, DDR3L-1600, CL11
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- ProduktartDDR4 SDRAM
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- MaßeinheitEinheit
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- Markedekoelektropunktde
- ModellDXRSOD4
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4061727900475
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4GB DDR2 RAM PC2-6400S 2Rx8 800MHz Notebook Laptop Speicher CL6 Intel AMD 2x 2GB
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S-666
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Packard Bell LM85-JN SO-DIMM
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- FormfaktorSO DIMM 204 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit1066MHz PC3-8500S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- MarkenkompatibilitätFür Lenovo
- EAN4055069101447
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2x 4GB 8GB DDR2 800 Mhz für Dell Latitude D830 E5400 RAM Speicher SO-DIMM
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- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR2-800 (PC2-6400)
- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- MarkeCSX
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB_D830 E5400
- EAN4250591491725
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
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- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerM471B5273DH0-CKO
- ProduktartDDR3L
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- Herstellergarantie1 Jahr
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- Herstellergarantie2 Jahre
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
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- ModellArt. Spezifisch
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Herstellernummer2x8GB_V3-571G
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- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
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- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
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- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
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- Herstellergarantie10 Jahre
- MarkeSamsung
- EAN4069043682655
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