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2x 4GB 8GB DDR3 RAM Speicher IBM Lenovo ThinkPad R400 Markenspeicher Samsung
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2x 4GB 8GB DDR3 RAM Speicher IBM Lenovo ThinkPad R400 Markenspeicher Samsung
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- Herstellernummer2x4GB_R400
- EAN4250591490445
- Artikelnr.350600227879
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.35V Notebook Laptop Speicher
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360570234
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2x 4GB 8GB DDR3 2Rx8 Notebook RAM Speicher 1066 Mhz SO DIMM PC3-8500S CL7
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- HerstellernummerM471B5273BH1-CF8 (kompatibel)
- MarkeSamsung, Micron oder Hynix Chip
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4053044712114
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4GB DDR2 RAM SO-DIMM PC2-5300S 2Rx8 667MHz Laptop Speicher Intel AMD (2x 2GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
- UnbufferedJA
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- MarkeTranscend
- ProduktartDDR3L
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module20
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- EANnichtzutreffend
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- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- HerstellernummerHMT451S6AFR8A-PB
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4053044739456
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- Gesamtkapazität8GB
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- Kapazität pro Modul4GB
- AngebotspaketNein
- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
- BesonderheitenUnbuffered
- MPNHMA851S6AFR6N-UH 2x
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
- Modifizierter ArtikelNein
- Herstellungsland und -regionChina
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- FormfaktorSO-DIMM
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- HerstellernummerS0DDR4-0424DK444R320532
- Markedekoelektropunktde
- ModellDXRSOD4
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4061727900482
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- HerstellernummerBS-D4-4G-SO-2133-N
- BusgeschwindigkeitPC4-2133P (DDR4-2133)
- SpeicherbandbreitePC4-2133P (DDR4-2133)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Bustaktrate2133 MHz
- Speicher-SpezifikationPC4-2133P
- JEDEC NormPC4-2133P
- Spannung1.2V
- Chip-Anordnung1Rx8
- Latenz (CL)CL15
- CAS-LatenzCL15
- UnbufferedJA
- EAN4262360572030
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- Markedekoelektropunktde
- ModellDXRSOD4
- Gesamtkapazität4 GB
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- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul4 GB
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
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- Gesamtkapazität4GB
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- ProduktartDDR2 SDRAM
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- Spannung1.8V
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- Latenz (CL)CL6
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- Kapazität8192
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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