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4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Packard Bell LM85-JN SO-DIMM
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4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Packard Bell LM85-JN SO-DIMM
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- MarkeSamsung
- EAN4069043687001
- Artikelnr.196409771337
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Ram Speicher für Packard Bell LM85-JN SO-DIMM 4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Packard Bell LM85-JN SO-DIMM 204 PIN 81,90 Max Ram 8GB.
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360570234
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- MarkeSamsung, Micron oder Hynix Chip
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Anzahl der Einheiten2
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- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
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- MPNHMA851S6AFR6N-UH 2x
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- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
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- HerstellernummerBS-D4-4G-SO-2133-N
- BusgeschwindigkeitPC4-2133P (DDR4-2133)
- SpeicherbandbreitePC4-2133P (DDR4-2133)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Bustaktrate2133 MHz
- Speicher-SpezifikationPC4-2133P
- JEDEC NormPC4-2133P
- Spannung1.2V
- Chip-Anordnung1Rx8
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- CAS-LatenzCL15
- UnbufferedJA
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