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G.Skill Arbeitsspeicher SO-DIMM 4 GB DDR3-1333

G.Skill Arbeitsspeicher SO-DIMM 4 GB DDR3-1333

 
  • EAN4711148594240
  • CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HerstellerG.Skill
  • ModellbezeichnungF3-10666CL9S-4GBSQ
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität4.096 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,5 V
  • StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9S-4GBSQ
  • LieferzustandRetail
  • FunkanlagengesetzpflichtNein
  • Beschreibung - FürMacBook Pro/iMac
  • SerieSQ
  • Gewicht20 g
  • Globale BezeichnungF3-10666CL9S-4GBSQ
  • Netzteil - NetzteilFällt nicht unter das FuAG
  • BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerF3-10666CL9S-4GBSQ
  • MarkeG. SKILL
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module1
  • Artikelnr.375410480005
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Das G.Skill F3-10666CL9S-4GBSQ ist ein 4 GB DDR3 PC-10600 Speichermodul (1333 MHz, CL9). Das 204-pin Unbuffered SO-DIMM Modul ist mit FBGA Chips bestückt und besitzt vergoldete Kontakte.

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  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570227
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität4GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570210
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  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • Gesamtkapazität4GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • HerstellergarantieAuf Lebenszeit
  • EAN4057719002241
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • SpeicherbandbreitePc3-10600S
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
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  • Ausländisches ProduktNein
  • Modifizierter ArtikelNein
  • SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
  • Händlergarantie10 Jahre
  • Apple kompatibelJa
  • Gesamtkapazität4 GB
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • Anzahl der Pins204
  • EAN4053044743873
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerHMT351S6BFR8C-H9
  • MarkeHynix
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module1
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  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
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  • MarkeMarkenlos
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Gesamtkapazität4 GB
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul4 GB
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  • ProduktartDDR3 SO-DIMM
  • MarkenkompatibilitätUniversell
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • Gesamtkapazität4 GB
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • EAN0740617216059
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerKTH-X3BS/4G
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • MarkeHynix
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorDIMM
  • Kapazität pro Modul4 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerHMT351S6BFR8C
  • ModellHMT351S6BFR8C
  • Anzahl der Pins204
  • EAN4057719210370
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  • EAN0873648005610
  • CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HerstellerMushkin
  • Modellbezeichnung991647
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität4.096 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,5 V
  • StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-Artikelnummer991647
  • FunkanlagengesetzpflichtNein
  • Gewicht in g23
  • SerieEssentials
  • Gewicht23 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.023
  • Gewicht inkl. Verpackung23 g
  • Globale Bezeichnung991647
  • Netzteil - NetzteilFällt nicht unter das FuAG
  • BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
  • Herstellernummer991647
  • MarkeMushkin Enhanced
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module1
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  • Herstellernummer2x4GB_Erazer
  • MarkeMedion
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Anzahl der Module2
  • ProduktartDDR3 RAM
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • Gesamtkapazität8GB
  • EAN4250591400062
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  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RN-09-10-F2
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität4GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-09-10-F2
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
  • EAN4262360570746
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  • ModellSpezifisch
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie2 Jahre
  • Anzahl der Speichermodule1
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul2-8GB
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3L-1600)
  • Gesamtkapazität2-8GB
  • MarkeSamsung
  • EAN4057719740365
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  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität4GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
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  • ModellV7 V7106004GBS
  • Produktartunbekannt
  • MarkeV7
  • HerstellernummerV7106004GBS
  • HerstellerV7
  • EAN5050914959494
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • BesonderheitenUnbuffered
  • Kapazität4 GB und mehr
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
  • MarkeHynix
  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4250591487629
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  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Gesamtkapazität4 GB
  • Anzahl der Module2
  • Speicher-Eigenschaftenunbuffered
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul2 GB
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  • MarkeKingston
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Pins204
  • Gesamtkapazität2 GB
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO-DIMM
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  • CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10666)
  • HerstellerMushkin
  • Modellbezeichnung996647
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität8.192 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,5 V
  • StandardDDR3-1333 (PC3-10666)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-Artikelnummer996647
  • FunkanlagengesetzpflichtNein
  • Gewicht in g45
  • SerieEssentials
  • Gewicht45 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.045
  • Gewicht inkl. Verpackung45 g
  • Globale Bezeichnung996647
  • BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
  • Herstellernummer996647
  • MarkeMushkin Enhanced
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
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  • EAN4711148594837
  • Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
  • CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
  • Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HerstellerG.Skill
  • ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
  • BauformSO-DIMM
  • Kapazität8.192 MB
  • TypSDRAM-DDR3
  • Anschluss204-Pin
  • Spannung1,5 V
  • StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
  • HauptfarbeKeine Farbangabe
  • Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
  • LieferzustandLite Retail
  • FunkanlagengesetzpflichtNein
  • Gewicht in g41
  • Gewicht41 g
  • Gewicht (kg) Dezimal0.041
  • Gewicht inkl. Verpackung41 g
  • Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
  • BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerF3-10666CL9D-8GBSQ
  • MarkeG. SKILL
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  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Kapazität8192
  • ZustandNeu
  • Herstellernummer2x4GB-MC816D/A
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  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • ModellSpezifisch
  • Anzahl der Pins204
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 19,98
  • MarkeBRAINZAP
  • HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
  • BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
  • SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
  • Anzahl der Module2
  • Kapazität pro Modul4GB
  • Gesamtkapazität8GB
  • FormfaktorSO DIMM 204-pol.
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Bustaktrate1333 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
  • JEDEC NormPC3-10600S
  • Spannung1.5V
  • Chip-Anordnung2Rx8
  • Latenz (CL)CL9
  • CAS-LatenzCL9
  • UnbufferedJA
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