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2x 4GB 8GB DDR3 1333Mhz RAM für Apple Mac mini 2.50Ghz MC816DA SO-DIMM Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 1333Mhz RAM für Apple Mac mini 2.50Ghz MC816DA SO-DIMM Speicher
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB-MC816D/A
- EAN4250591487629
- Artikelnr.350573899331
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Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Speicher von SAMSUNG sind in vielen Apple Modellen ab Werk eingebaut, da es sich um hochwertige und zuverlässige Speicher handelt.
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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4Gb DDR3 Notebook Speicher 1333 Mhz M471B5273DH0-CH9 10600S 204Pin Samsung
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- HerstellergarantieAuf Lebenszeit
- EAN4057719002241
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- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- Ausländisches ProduktNein
- Modifizierter ArtikelNein
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- Händlergarantie10 Jahre
- Apple kompatibelJa
- Gesamtkapazität4 GB
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins204
- EAN4053044743873
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C-H9
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module1
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- Kapazität pro Modul4 GB
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- Gesamtkapazität4 GB
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- EAN0740617216059
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerKTH-X3BS/4G
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Anzahl der Speichermodule1
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719210370
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Mushkin SO-DIMM 4 GB DDR3-1333 , Arbeitsspeicher
- EAN0873648005610
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung991647
- BauformSO-DIMM
- Kapazität4.096 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer991647
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g23
- SerieEssentials
- Gewicht23 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.023
- Gewicht inkl. Verpackung23 g
- Globale Bezeichnung991647
- Netzteil - NetzteilFällt nicht unter das FuAG
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer991647
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Herstellernummer2x4GB_Erazer
- MarkeMedion
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul4GB
- Anzahl der Module2
- ProduktartDDR3 RAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität8GB
- EAN4250591400062
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM - 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F2 1.5V CL9 Notebook Laptop MacBook
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RN-09-10-F2
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-09-10-F2
- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570746
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul2-8GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität2-8GB
- MarkeSamsung
- EAN4057719740365
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- HerstellerV7
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- Kapazität4 GB und mehr
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
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- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
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- Apple kompatibelJa
- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
- Gesamtkapazität8 GB
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- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Speicher-Eigenschaftenunbuffered
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- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
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Mushkin SO-DIMM 8 GB DDR3-1333 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN0873648005627
- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10666)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung996647
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10666)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer996647
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g45
- SerieEssentials
- Gewicht45 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.045
- Gewicht inkl. Verpackung45 g
- Globale Bezeichnung996647
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer996647
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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G.Skill SO-DIMM 8 GB DDR3-1333 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN4711148594837
- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- LieferzustandLite Retail
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g41
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
- Gewicht inkl. Verpackung41 g
- Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
- MarkeSamsung
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
- EAN4250591491244
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4GB SAMSUNG DDR3 SODIMM RAM 1333 Mhz M471B5273CH0-CH9 PC3-10600S Notebook Memory
- MarkeSamsung
- HerstellernummerM471B5273DH0-CH9
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- EAN4053044726401
Jetzt bei eBay:
G.Skill Arbeitsspeicher SO-DIMM 4 GB DDR3-1333
- EAN4711148594240
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9S-4GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität4.096 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9S-4GBSQ
- LieferzustandRetail
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Beschreibung - FürMacBook Pro/iMac
- SerieSQ
- Gewicht20 g
- Globale BezeichnungF3-10666CL9S-4GBSQ
- Netzteil - NetzteilFällt nicht unter das FuAG
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-10666CL9S-4GBSQ
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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G.Skill SL Series SO-DIMM 4GB, DDR3L-1333, CL9-9-9-24 (F3-1333C9S-4GSL).NEU
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-1333C9S-4GSL
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- MPNF310666CL9S4GBSQ
- FormfaktorSO-DIMM
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4GB Elpida 2Rx8 PC3-10600 Speicher RAM SO-DIMM Laptop DDR3 1333MHz 204PIN Intel
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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