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2x 4GB 8GB DDR3 1333MHz RAM MSI CR640 Speicher SO-DIMM Markenspeicher Samsung
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 1333MHz RAM MSI CR640 Speicher SO-DIMM Markenspeicher Samsung
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB_CR640
- EAN4250591491299
- Artikelnr.270959819455
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Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Speicher von SAMSUNG sind in vielen MSI Modellen ab Werk eingebaut, da es sich um hochwertige und zuverlässige Speicher handelt.
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5V Notebook Speicher CL9 (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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4GB DDR3 1333MHz Ram Speicher für Acer 5830TG SO-DIMM
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- MarkeSamsung
- EAN4069043681054
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8GB, 2x 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5 V Notebook Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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4GB HYNIX DDR3 SO DIMM RAM 1333Mhz HMT351S6BFR8C-H9 PC3-10600S Notebook Speicher
- AngebotspaketNein
- Ausländisches ProduktNein
- Modifizierter ArtikelNein
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- Händlergarantie10 Jahre
- Apple kompatibelJa
- Gesamtkapazität4 GB
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins204
- EAN4053044743873
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C-H9
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz Laptop Speicher Intel AMD (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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G.Skill SO-DIMM 8 GB DDR3-1333 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN4711148594837
- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- LieferzustandLite Retail
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g41
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
- Gewicht inkl. Verpackung41 g
- Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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4GB DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher PC3-10600 1333 RAM Speicher Notebook MAC Laptop
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- MarkeMarkenlos
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
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1x 8GB RAM DDR3 1333 Mhz HYNIX SO DIMM PC3-10600S Notebook Arbeitsspeicher
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BesonderheitenUnbuffered
- Kapazität4 GB und mehr
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Herstellernummer1x8GB_10600S
- MarkeHynix
- Apple kompatibelJa
- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4250591487629
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Mushkin SO-DIMM 4 GB DDR3-1333 , Arbeitsspeicher
- EAN0873648005610
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung991647
- BauformSO-DIMM
- Kapazität4.096 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer991647
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g23
- SerieEssentials
- Gewicht23 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.023
- Gewicht inkl. Verpackung23 g
- Globale Bezeichnung991647
- Netzteil - NetzteilFällt nicht unter das FuAG
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer991647
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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Hynix 8Gb 2x 4Gb SoDimm 1333Mhz Ram Speicher HMT351S6BFR8C Pc-10600s DDR3 204PIN
- Anzahl der Speichermodule1
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719210370
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Kingston 4GB SO-DIMM DDR3 PC3-10600 (KVR1333D3S94G) CL9
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SO-DIMM
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- MarkeDell
- ProduktartDDR3 SDRAM
- EAN4250591400062
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4Gb DDR3 Notebook Speicher 1333 Mhz M471B5273DH0-CH9 10600S 204Pin Samsung
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- HerstellergarantieAuf Lebenszeit
- EAN4057719002241
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM - 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F2 1.5V CL9 Notebook Laptop MacBook
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RN-09-10-F2
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-09-10-F2
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570746
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5 V - Notebook Laptop Memory CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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Kingston KTH-X3BS4G 1x4GB, PC3-10600 (DDR3-1333), DDR3 SDRAM 1333 Mhz, SO DIMM
- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN0740617216059
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerKTH-X3BS/4G
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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4 GB Arbeitsspeicher SO DIMM DDR3 1333 Mhz Speicher Ram Samsung Notebook Laptop
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-Eigenschaftenunbuffered
- FormfaktorSO-DIMM
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
- EAN4250591491244
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität2 GB
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul2 GB
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Hynix 4Gb SoDimm 1333Mhz Ram Speicher HMT351S6BFR8C Pc-10600s DDR3 204PIN
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität4 GB
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Anzahl der Speichermodule1
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul4 GB
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- Anzahl der Pins204
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- FormfaktorSO DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Familie GerätNUC Kit
- HerstellernummerSP129970
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- Gesamtkapazität4 GB
- Kompatibel mitIntel NUC Kit NUCD54250WYK
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- Anzahl der Einheiten1
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- EAN4055069153309
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- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB-MC816D/A
- EAN4250591487629
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- EAN4711148594240
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9S-4GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität4.096 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9S-4GBSQ
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- FunkanlagengesetzpflichtNein
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- SerieSQ
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- Globale BezeichnungF3-10666CL9S-4GBSQ
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- EAN0873648005627
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10666)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung996647
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
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- StandardDDR3-1333 (PC3-10666)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer996647
- Produktsicherheit - Hersteller-NameCertification Company B.V.
- Produktsicherheit - Hersteller-AdresseVeluwezoom 42 , NL 1327 Almere
- Produktsicherheit - Hersteller-E-Mailadmin@certification-company.com
- SerieEssentials
- Gewicht45 g
- Globale Bezeichnung996647
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
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- Anzahl der Pins204
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- MarkeSamsung
- EAN4069043792804
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