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2x 4GB 8GB DDR3 1333Mhz RAM für Apple Mac mini 2.70Ghz MC816DA SO-DIMM Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 1333Mhz RAM für Apple Mac mini 2.70Ghz MC816DA SO-DIMM Speicher
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB-MC816D/A
- EAN4250591487629
- Artikelnr.360466074771
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Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Speicher von SAMSUNG sind in vielen Apple Modellen ab Werk eingebaut, da es sich um hochwertige und zuverlässige Speicher handelt.
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- MarkeSamsung
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz Laptop Speicher Intel AMD (2x 4GB)
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- Ausländisches ProduktNein
- Modifizierter ArtikelNein
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- Händlergarantie10 Jahre
- Apple kompatibelJa
- Gesamtkapazität4 GB
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins204
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Module1
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719210370
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- KapazitätDDR3 8GB 1600
- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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Mushkin SO-DIMM 4 GB DDR3-1333 , Arbeitsspeicher
- EAN0873648005610
- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung991647
- BauformSO-DIMM
- Kapazität4.096 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer991647
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g23
- SerieEssentials
- Gewicht23 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.023
- Gewicht inkl. Verpackung23 g
- Globale Bezeichnung991647
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer991647
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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1x 8GB RAM DDR3 1333 Mhz HYNIX SO DIMM PC3-10600S Notebook Arbeitsspeicher
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BesonderheitenUnbuffered
- Kapazität4 GB und mehr
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- Herstellernummer1x8GB_10600S
- MarkeHynix
- Apple kompatibelJa
- AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul4GB
- Anzahl der Module2
- ProduktartDDR3 RAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität8GB
- EAN4250591400062
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- Gesamtkapazität4 GB
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- EAN0740617216059
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerKTH-X3BS/4G
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5 V - Notebook Laptop Memory CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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2x 4GB 8GB DDR3 1333Mhz RAM für Apple Mac mini 2.50Ghz MC816DA SO-DIMM Speicher
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellSpezifisch
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie2 Jahre
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- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- LieferzustandLite Retail
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g41
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
- Gewicht inkl. Verpackung41 g
- Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- MarkeG. SKILL
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- Gesamtkapazität4 GB
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Anzahl der Speichermodule1
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- FormfaktorDIMM 204-pol.
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- Gewicht in g45
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- Gewicht45 g
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