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Samsung 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22 (M471A5244CB0-CWE) RAM Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Samsung 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22 (M471A5244CB0-CWE) RAM Speicher
- HerstellernummerM471A5244CB0-CWE
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Pins260
- EAN0850001401784
- Artikelnr.235264598182
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Samsung M471A5244CB0. DDR4 SODIMM 260pin. Sie sind zur Rückgabe gebrauchter Batterien als Endnutzer gesetzlich verpflichtet. Die auf den Batterien abgebildeten Symbole haben folgende Bedeutung Modul mit 4 GB 3200 MHz (PC4-25600).
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
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- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S
- JEDEC NormPC2-6400S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
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- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
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