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4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Lenovo T410 SO-DIMM
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Lenovo T410 SO-DIMM
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- MarkeSamsung
- EAN4069043685687
- Artikelnr.196409660273
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Ram Speicher für Lenovo T410 SO-DIMM 4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Lenovo T410 SO-DIMM 204 PIN 82,11 Max Ram 8GB.
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- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-8500S 2Rx8 1066 MHz 1.5V Notebook Speicher CL7 (2x 4GB)
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1066-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
- JEDEC NormPC3-8500S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL7
- CAS-LatenzCL7
- UnbufferedJA
- EAN4262360571224
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8GB (2x 4GB) DDR2 RAM BRAINZAP BS-D2-4G-SO-667-N SO-DIMM - 2Rx8 PC2-5300S
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
- EAN4262360570333
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4GB DDR2 RAM BRAINZAP BS-D2-4G-SO-667-N SO-DIMM - 2Rx8 PC2-5300S 667 MHz
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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- FormfaktorSO-DIMM
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- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
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4GB DDR2 RAM SO-DIMM PC2-5300S 2Rx8 667MHz Laptop Speicher Intel AMD (2x 2GB)
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
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2x 4GB 8GB DDR3 2Rx8 Notebook RAM Speicher 1066 Mhz SO DIMM PC3-8500S CL7
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- HerstellernummerM471B5273BH1-CF8 (kompatibel)
- MarkeSamsung, Micron oder Hynix Chip
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4053044712114
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Qumox 4GB DDR4 2400 2400MHz PC4-19200 PC-19200 SO-DIMM 260-Pin Laptop-Speicher
- SpeicherbandbreiteDDR4-2400 (PC4-19200)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR4, DIMM
- SpeichertypDDR4, DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Kapazität4 GB
- EAN4895187190356
- MarkeQumox
- ProduktartDDR4 SDRAM
- HerstellernummerQXDDR42400CL17SOD/4GB
- FormfaktorDIMM 260-pol.
- BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
- Anzahl der Module1
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8GB, 2x 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5 V Notebook Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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2x 4GB 8GB Notebook RAM DDR2 800 Mhz SO-Dimm PC2-6400S 200 pin Speicher Laptop
- ProduktartDDR2 SODIMM
- Anzahl der Pins200
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
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- SpeichertypDDR2-SDRAM, Notebook
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- HerstellernummerMICRON3rd_2x4GB
- MarkeRAM
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-EigenschaftenSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
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- HerstellernummerKCDT82-MIE
- ProduktartDDR4 SDRAM
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BRAINZAP 8GB (2x 4GB) DDR2 RAM PC2-6400S 2Rx8 SO-DIMM 800 MHz Arbeitsspeicher
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
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- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
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- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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Dell-SNPNWMX1C4G Hynix 4GB SO-DIMM 204-PIN 1600MHz DDR3L SDRAM
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- Gesamtkapazität4GB
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5V Notebook Speicher CL9 (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
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- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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BRAINZAP 4GB DDR2 RAM PC2-6400S 2Rx8 SO-DIMM 800 MHz Arbeitsspeicher CL6
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D2-4G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module1
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
- EAN4262360570272
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-14900S 2Rx8 1866 MHz 1.35V Notebook Laptop Speicher
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1866-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360570845
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2x 4GB 8GB DDR2 800 Mhz für Dell Latitude E6400 E6500 RAM Speicher SO-DIMM
- ProduktartDDR2 SDRAM
- BesonderheitenUnbuffered
- Kapazität8192
- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR2-800 (PC2-6400)
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- Herstellernummer2x4GB_E6500
- MarkeCSX
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität8 GB
- ZustandNeu
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4053044704065
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 1Rx8 1600 MHz 1.35V Notebook Laptop Speicher
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1600-1RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
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- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung1Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
- EAN4262360570609
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM - 1066 MHz PC3-8500S Small Outline Dimm 2Rx8 Dual-Rank CL7
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1066-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
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- Latenz (CL)CL7
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G.Skill SO-DIMM 8 GB DDR3-1066 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1066 (PC3-8500)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-8500CL7D-8GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1066 (PC3-8500)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-8500CL7D-8GBSQ
- LieferzustandLite Retail
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g90
- Gewicht90 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.090
- Gewicht inkl. Verpackung90 g
- Globale BezeichnungF3-8500CL7D-8GBSQ
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- HerstellernummerF3-8500CL7D-8GBSQ
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
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G.Skill SO-DIMM 8 GB DDR3-1333 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- LieferzustandLite Retail
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g41
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
- Gewicht inkl. Verpackung41 g
- Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- ModellSpezifisch
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- MarkeSamsung
- EAN4063687777258
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- BesonderheitenUnbuffered
- Kapazität4 GB und mehr
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- SpeichertypDDR3-SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- Herstellernummer2x8GB_iMac mac mini
- MarkeHynix 3rd
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- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
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- UnbufferedJA
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