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4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Sony 81111V SO-DIMM
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4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Sony 81111V SO-DIMM
- Herstellergarantie10 Jahre
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität4 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- EAN4069043688183
- Artikelnr.196409850030
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Ram Speicher für Sony 81111V SO-DIMM 4GB DDR3 1600MHz Ram Speicher für Sony 81111V SO-DIMM 204 PIN 83,30 Max Ram 8GB.
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- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
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- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
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- BusgeschwindigkeitPC3-8500 (DDR3-1066)
- SpeicherbandbreitePC3-8500 (DDR3-1066)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1066 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-8500S-7
- JEDEC NormPC3-8500S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL7
- CAS-LatenzCL7
- UnbufferedJA
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- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- CAS-LatenzCL6
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Anzahl der Einheiten2
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- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- CAS-LatenzCL5
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- FormfaktorDIMM 200-pol.
- BusgeschwindigkeitPC2-4200 (DDR2-533)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2 GB
- Kapazität2 GB
- SpeicherbandbreiteDDR2-533 (PC2-4200)
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- SpeichertypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
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- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-1600C11D-8GRSL
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,35 V
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-1600C11D-8GRSL
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g125
- SerieRipjaws
- Gewicht125 g
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- Globale BezeichnungF3-1600C11D-8GRSL
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- ProduktartDDR2 SDRAM
- Herstellungsland und -regionChina
- Anzahl der Pins200
- Apple kompatibelJa
- Gesamtkapazität2 GB
- Anzahl der Module1
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul2 GB
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- FormfaktorSO DIMM 200 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit800MHz PC2-6400S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
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- Herstellergarantie2 Jahre
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- Anzahl der Module2
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- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
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- Chip-Anordnung2Rx8
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- Chip-Anordnung2Rx8
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- Gesamtkapazität4GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
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