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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Lenovo ThinkPad L412 L420 Markenspeicher Samsung
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Lenovo ThinkPad L412 L420 Markenspeicher Samsung
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- ZustandNeu
- Herstellernummer2x4GB-L420
- EAN4250591490889
- Artikelnr.350467483462
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Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Speicher von SAMSUNG sind in vielen Lenovo Modellen ab Werk eingebaut, da es sich um hochwertige und zuverlässige Speicher handelt.
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- HerstellernummerBS-D3-4G-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600U
- SpeicherbandbreitePC3-10600U
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600U-9
- JEDEC NormPC3-10600U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- Herstellernummer2x4GB_8440p 8540p
- ProduktartDDR3 SDRAM
- EAN4250591491411
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- HerstellernummerDX2GDDR3U1333
- AngebotspaketNein
- Länge133.35 mm
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Speichermodule2
- Modifizierter ArtikelNein
- HerstellergarantieAuf Lebenszeit
- FormfaktorDIMM
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC, 1,35V - 1,5V, Latency CL9
- Kapazität pro Modul2 GB
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Herstellungsland und -regionGroßbritannien
- Anzahl der Pins240
- EAN5054513091401
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
- MarkeSamsung
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
- EAN4250591491244
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
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- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichDesktop
- TypDDR3, DIMM
- SpeichertypDDR3, DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Speichermodule1
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- TypDDR3-SDRAM
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
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- HerstellernummerM378B5273DH0-CH9
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichPC-Systeme
- Anzahl der Module2
- SpezifikationenNicht ECC, unbuffered
- Kapazität pro Modul4 GB
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- HerstellernummerBS-D3-2G-1333-2RX8-N
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