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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
- MarkeSamsung
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität8192
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
- EAN4250591491244
- Artikelnr.360661571967
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Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. SAMSUNG DDR3 SPEICHER.
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- HerstellernummerBS-D3-4G-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600U
- SpeicherbandbreitePC3-10600U
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600U-9
- JEDEC NormPC3-10600U
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- Herstellernummer2x4GB_8440p 8540p
- ProduktartDDR3 SDRAM
- EAN4250591491411
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- ModellDesktop
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- HerstellernummerDX2GDDR3U1333
- AngebotspaketNein
- Länge133.35 mm
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Speichermodule2
- Modifizierter ArtikelNein
- HerstellergarantieAuf Lebenszeit
- FormfaktorDIMM
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC, 1,35V - 1,5V, Latency CL9
- Kapazität pro Modul2 GB
- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Herstellungsland und -regionGroßbritannien
- Anzahl der Pins240
- EAN5054513091401
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5V Notebook Speicher CL9 (2x 4GB)
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichDesktop
- TypDDR3, DIMM
- SpeichertypDDR3, DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Speichermodule1
- Kapazität pro Modul2 GB
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- BrandUnbranded
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- TypDDR3-SDRAM
- FormfaktorDIMM 240-pol.
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- SpeichertypDDR3-SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM378B5273DH0-CH9
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichPC-Systeme
- Anzahl der Module2
- SpezifikationenNicht ECC, unbuffered
- Kapazität pro Modul4 GB
- EAN4053044706540
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- Herstellernummer2x4GB_5732Z 5737Z
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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