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IRLZ34N MOSFET 30 A 55 V IRLZ34NPBF N-Kanal Feld effekt transistoren TO-220AB (P
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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IRLZ34N MOSFET 30 A 55 V IRLZ34NPBF N-Kanal Feld effekt transistoren TO-220AB (P
- TeilenummerBJ-IRL-Z34N
- Artikelgewicht30 g
- Verpackungsabmessungen7,2 x 5,3 x 1,7 cm; 30 Gramm
- Batterien notwendigNein
- HerstellerreferenzBJ-IRL-Z34N
- Batterien inbegriffenNein
- EAN07445050022009
- Artikelnr.226809536705
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BOJACK IRLZ34N MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, der in. IRLZ34N ist in einem TO-220AB Paket. Anzahl der Stiche: 3. Spannung Vds Max: 55 V. Drainstrom (Id Max): 30 A. Leistung (max.).
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- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Kollektor-Basis Spannung200 V
- Maximale Verlustleistung330 W
- GehäuseTO-220
- Kollektor-Emitter-Spannung200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom65 A
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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IRF540N Transistor MOSFET N-Channel 33A 100V Menge Wählbar 1-10 Stück
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
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- ProduktartNPN PWM Mosfet IC
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
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- Typ / TypeIRF1407
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypN Kanal HEXFET
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF
- ProduktartPWM Mosfet
- Anzahl der Einheiten2
- GehäusegrößeTO-220
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- BesonderheitenTTL-kompatibel (5V), TTL, CMOS, Logic Level, Logiklevel, N-Channel, Transistor
- HerstellernummerVerschiedene
- MaßeinheitEinheit
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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- Drainstrom47 A
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- HerstellernummerIRLZ44N
- MarkeInternational Rectifier
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- MontageartDurchsteckmontage
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- Maximale Verlustleistung110 W
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- Drain-Source Spannung55V
- GehäuseTO-220AB
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- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseDPAK / TO-252AA
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung16 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung140 W
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- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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- ProduktartN-Kanal-Transistoren THT
- Verpackungs-ArtTube
- Gate-Ladung55nC
- Drainstrom72A
- HerstellernummerIXFP72N20X3
- Gate-Source Spannung20V
- Markeunbekannt
- HerstellerIXYS
- Bereitschaftszeit84ns
- Verlustleistung320W
- MontageTHT
- Drain-Source Spannung200V
- TechnologieX3-Class
- Polarisierungunipolar
- Widerst im Leitungszust20mΩ
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