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Transistor N-MOSFET 60V unipolar 375W 195A TO247AC IRFP3006PBF N-Kanal-Transi
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Transistor N-MOSFET 60V unipolar 375W 195A TO247AC IRFP3006PBF N-Kanal-Transi
- HerstellerINFINEON TECHNOLOGIES
- Transistor-TypN-MOSFET
- Technologie®
- Polarisierungunipolar
- Drain-Source Spannung60V
- Drainstrom195A
- Verlustleistung375W
- GehäuseTO247AC
- Gate-Source Spannung±20V
- Widerst im Leitungszust2.1mΩ
- MontageTHT
- Gate-Ladung200nC
- Verpackungs-ArtTube
- Kanal-Artstark
- Lieferumfang1 Stk.
- Herstellernummer8297
- EAN4065444032075
- MarkeTNE
- Produktartsontiges
- Artikelnr.404351700451
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7,59
• Gehäuse: TO247AC •. • Verlustleistung: 375W •. • Drainstrom: 195A •. • Kanal-Art: stark •. Transistor: N-MOSFET; unipolar;. • Polarisierung: unipolar •. • Drain-Source Spannung: 60V •. • Transistor-Typ: N-MOSFET •.
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- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Kollektor-Basis Spannung200 V
- Maximale Verlustleistung330 W
- GehäuseTO-220
- Kollektor-Emitter-Spannung200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom65 A
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- Verpackungsabmessungen7,2 x 5,3 x 1,7 cm; 30 Gramm
- Batterien notwendigNein
- HerstellerreferenzBJ-IRL-Z34N
- Batterien inbegriffenNein
- EAN07445050022009
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- MarkeIRF540N
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- GehäuseTO-220
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- MarkeInternational Rectifier
- ProduktartNPN PWM Mosfet IC
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung55 V
- Maximale Verlustleistung83 W
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- Typ / TypeIRF1407
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypN Kanal HEXFET
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRF
- ProduktartPWM Mosfet
- Anzahl der Einheiten2
- GehäusegrößeTO-220
- Pinanzahl3
- TransistortypN-Kanal Mosfet
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- Kollektor-Emitter-Spannung460 V
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- Anzahl20er Pack
- BesonderheitenTTL-kompatibel (5V), TTL, CMOS, Logic Level, Logiklevel, N-Channel, Transistor
- HerstellernummerVerschiedene
- MaßeinheitEinheit
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Unterstütztes GerätArduino, Raspberry Pi
- Markevipitec
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- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Drainstrom47 A
- RoHSja
- HerstellernummerIRLZ44N
- MarkeInternational Rectifier
- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- Maximale Kollektor-Basis Spannung10 V
- Maximale Verlustleistung110 W
- Spitzenstrom47 A
- Drain-Source Spannung55V
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- SerieHEXFET
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- HerstellernummerIRLR3110ZTRPBF
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Anzahl der Pins3
- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseDPAK / TO-252AA
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung16 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung140 W
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- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Spitzenstrom42 A
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- Packungsgröße1 Stk. / Verpackung
- Transistor-TypN-MOSFET
- Kanal-Artstark
- ProduktartN-Kanal-Transistoren THT
- Verpackungs-ArtTube
- Gate-Ladung55nC
- Drainstrom72A
- HerstellernummerIXFP72N20X3
- Gate-Source Spannung20V
- Markeunbekannt
- HerstellerIXYS
- Bereitschaftszeit84ns
- Verlustleistung320W
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- TechnologieX3-Class
- Polarisierungunipolar
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