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2N5401B PNP Transistor 165V 625mW 600mA TO 92 Menge Wählbar 2-10 Stück
- Menge8 Stück
- Maximale Basis-Emitter Spannung0,6 A
- Marke2N5401B
- ProduktartPNP
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung190 V
- GehäuseTO-92
- Kollektor-Emitter-Spannung165 V
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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2 Stück 2N5551B NPN Transistor 160V 310mW 600mA TO 92
- Maximale Basis-Emitter Spannung6V
- Marke2N5551B
- ProduktartNPN
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung180V
- Maximale Verlustleistung310mW
- GehäuseTO-92
- Maximaler DC Kollektorstrom600mA
- Kollektor-Emitter-Spannung160V
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15 Stück 2N5401B PNP Transistor 165V 625mW 600mA TO 92
- Maximale Basis-Emitter Spannung6V
- Marke2N5401B
- ProduktartPNP
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung190V
- GehäuseTO-92
- Serie2N5401
- Maximaler DC Kollektorstrom600 mA
- Kollektor-Emitter-Spannung165V
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4 Stück 2N5401B PNP Transistor 165V 625mW 600mA TO 92
- Maximale Basis-Emitter Spannung6V
- Marke2N5401B
- ProduktartPNP
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung190V
- GehäuseTO-92
- Serie2N5401
- Maximaler DC Kollektorstrom600 mA
- Kollektor-Emitter-Spannung165V
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MOSFET Halbbrücke Ch 2 625mW 600V IC driver -350200mA SO8
- Verpackungsinhalt1 Stück
- Anschaltzeit220ns
- Anzahl Kanäle2
- Ausgangsstrom-0,35...0,2A
- Ausschaltzeit200ns
- Betriebstemperatur-40...125°C
- GehäuseSO8
- HerstellerTNE
- Integrierten Schaltkreises-ArtSteuerung für Gates
- Integrierten Schaltkreises-Typdriver
- Leistung625mW
- MarkeTNE
- MontageSMD
- ProduktartElektronisches Bauteil
- Spannungsklasse600V
- TopologieMOSFET Halbbrücke
- Verpackungs-ArtRolle
- Versorgungsspannung10...20V DC
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IC driver SO8 Ch 2 -420200mA 625mW 600V MOSFET Halbbrücke
- Verpackungsinhalt1 Stück
- Anschaltzeit830ns
- Anzahl Kanäle2
- Ausgangsstrom-420...200mA
- Ausschaltzeit190ns
- Betriebstemperatur-40...125°C
- GehäuseSO8
- HerstellerTNE
- Integrierten Schaltkreises-ArtSteuerung für Gates
- Integrierten Schaltkreises-Typdriver
- Leistung625mW
- MarkeTNE
- MontageSMD
- ProduktartElektronisches Bauteil
- Spannungsklasse600V
- TopologieMOSFET Halbbrücke
- Verpackungs-ArtTube
- Versorgungsspannung10...20V DC
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4,7Ω 5 100mW 600ppmC Widerstand thick film 0603
- Verpackungsinhalt10 Stück
- Entspricht NormAEC-Q200
- Gehäuse - Zoll0603
- Gehäuse - mm1608
- HerstellerTNE
- Leistung0,1W
- MarkeTNE
- ProduktartElektronisches Bauteil
- Temperaturkoeffizient600ppm/°C
- Toleranz±5%
- Widerstand4,7Ω
- Widerstands-Typthick film
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50 x 2N5551 NPN Si-Epitaxial PlanarTransistors 625mW 600mA 160V TO-92 50pcs
- MarkeMarkenlos
- Herstellernummer2N5551
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