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MOSFET Halbbrücke Ch 2 625mW 600V IC driver -350200mA SO8
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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MOSFET Halbbrücke Ch 2 625mW 600V IC driver -350200mA SO8
- Verpackungsinhalt1 Stück
- Anschaltzeit220ns
- Anzahl Kanäle2
- Ausgangsstrom-0,35...0,2A
- Ausschaltzeit200ns
- Betriebstemperatur-40...125°C
- GehäuseSO8
- HerstellerTNE
- Integrierten Schaltkreises-ArtSteuerung für Gates
- Integrierten Schaltkreises-Typdriver
- Leistung625mW
- MarkeTNE
- MontageSMD
- ProduktartElektronisches Bauteil
- Spannungsklasse600V
- TopologieMOSFET Halbbrücke
- Verpackungs-ArtRolle
- Versorgungsspannung10...20V DC
- Artikelnr.388683626082
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Leistung: 625mW. Gehäuse: SO8. Spannungsklasse: 600V. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden. Integrierten Schaltkreises-Typ: driver.
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- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung190 V
- GehäuseTO-92
- Kollektor-Emitter-Spannung165 V
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- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung180V
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- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung190V
- GehäuseTO-92
- Serie2N5401
- Maximaler DC Kollektorstrom600 mA
- Kollektor-Emitter-Spannung165V
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- Anzahl der Pins3
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- Maximaler DC Kollektorstrom600 mA
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IC driver SO8 Ch 2 -420200mA 625mW 600V MOSFET Halbbrücke
- Verpackungsinhalt1 Stück
- Anschaltzeit830ns
- Anzahl Kanäle2
- Ausgangsstrom-420...200mA
- Ausschaltzeit190ns
- Betriebstemperatur-40...125°C
- GehäuseSO8
- HerstellerTNE
- Integrierten Schaltkreises-ArtSteuerung für Gates
- Integrierten Schaltkreises-Typdriver
- Leistung625mW
- MarkeTNE
- MontageSMD
- ProduktartElektronisches Bauteil
- Spannungsklasse600V
- TopologieMOSFET Halbbrücke
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- HerstellerTNE
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