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Transistor N-MOSFET 96A 200V unipolar 600W TO247-3 IXFH96N20P N-Kanal-Transis

Transistor N-MOSFET 96A 200V unipolar 600W TO247-3 IXFH96N20P N-Kanal-Transis

 
  • HerstellerIXYS
  • MontageTHT
  • GehäuseTO247-3
  • Drainstrom96A
  • Verlustleistung600W
  • Gate-Ladung145nC
  • Polarisierungunipolar
  • Kanal-Artstark
  • Drain-Source Spannung200V
  • Transistor-TypN-MOSFET
  • Verpackungs-ArtTube
  • Widerst im Leitungszust24mΩ
  • Lieferumfang1 Stk.
  • Herstellernummer8291
  • EAN4065444032013
  • MarkeTNE
  • Produktartsontiges
  • Artikelnr.404351702010
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• Gehäuse: TO247-3 •. • Kanal-Art: stark •. Transistor: N-MOSFET; unipolar;. • Polarisierung: unipolar •. • Drainstrom: 96A •. • Drain-Source Spannung: 200V •. • Transistor-Typ: N-MOSFET •. • Verlustleistung: 600W •.

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  • Anzahl der Pins3
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  • MontageartDurchführungsloch
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Transistor-TypLeistungstransistor
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  • Transistor-TypP-MOSFET
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  • Gate-Source Spannung±15V
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