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Transistor N-JFET unipolar 350mW TO92 20mA Igt 50mA J111 N-Kanal-Transistore

Transistor N-JFET unipolar 350mW TO92 20mA Igt 50mA J111 N-Kanal-Transistore

 
  • Herstellernummer3255
  • MarkeTNE oder Unbekannt
  • EAN4065444003495
  • ProduktartHersteller: ON SEMICONDUCTOR
  • HerstellerON SEMICONDUCTOR
  • MontageTHT
  • Verlustleistung3W
  • Polarisierungunipolar
  • Drainstrom20mA
  • Transistor-TypN-JFET
  • Verpackungs-Artunverpackt
  • GehäuseTO92
  • Widerst im Leitungszust30Ω
  • Gate-Source Spannung-35V
  • GatestromA
  • Artikelnr.170989282880
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• Gehäuse: TO92. • Polarisierung: unipolar. • Transistor-Typ: N-JFET. Technische Daten. • Drainstrom: 20mA. Unter dieser Stückzahl, lehnt unsere Software den Preisvorschlag automatisch ab. • Verlustleistung: 3W.

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  • ProduktartN-Kanal JFET
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  • MarkeMarkenlos
  • Maximale Betriebstemperatur+150 °C
  • MontageartDurchsteckmontage
  • KonfigurationEinfach
  • Pinanzahl3
  • Maximale Verlustleistung0,3 W
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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