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2 Stück HGTG30 oder HGTG20 N60A4D N-Channel SMPS IGBT 600V 75A 70A 463W 290W
- VarianteHGTG20
- GehäuseformTO-247
- Spannung600V
- MarkeFairchild
- HerstellernummerHGTG30N60A4D, HGTG20N60A4D
- LeistungHGTG20: max. 290W, HGTG30: max. 463W
- TransistortypN-Channel
- Betriebstemperatur-55°C - 150°C
- StromHGTG20: 70A, HGTG30: 75A
- Pinabstand5,08mm
- Frequenz4,5MHz
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Miele ELP-265 ELP-266 W587X W588X W589X Ersatzteile Kit FehlerF50 oder FehlerF53
- Min. Betriebstemperatur-55°C
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-4 V
- ProduktartIGBT
- GehäuseformD2PAK
- Strommax. 20A
- Spannung600V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-10 V
- HerstellernummerGB10NC60KD
- MarkeSTMicroelectronics
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Verlustleistung50 W
- Max. Betriebstemperatur150°C
- GehäuseTO
- Leistungmax. 65W
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom20 A
- TransistortypN-Channel
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Power Mosfet IGBT Transistoren Sortiment ca 20Stück unsortiert S106 Kemo
- MarkeKemo-Electronic
- Anzahl der Pins3
- HerstellernummerS106
- Transistor-TypSortiment
- EAN4024028041223
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10x 600V 54A N-Channel IGBT 167W HGTP12N60A4D
- GehäuseTO-220
- MarkeFairchild Semiconductor
- HerstellernummerHGTP12N60A4D
- Herstellungsland und -regionUnbekannt
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2 Stück FGH40N60SMD IGBT Transistor 600V 40A 350W
- GehäuseformTO-247
- MarkeON Semiconductor
- HerstellernummerFGH40N60SMD
- Spannung VDS600V
- Leistung350W
- TransistortypIGBT
- Minimale Betriebstemperatur-55°C
- Maximale Betriebstemperatur175°C
- Strom40A
- Maximale Frequenz1 MHz
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IGBT Treiber, Concept 2SC0435, dual-chanel, -35A, 1700V
- MarkeConcept
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom2 A
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4 x IGBT Transistor FAIRCHILD TO-247 FGH40N60SMD Gleichrichter GBJ 2510
- Ausländisches ProduktNein
- MarkeMarkenlos
- Modifizierter ArtikelNein
- AngebotspaketNein
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2 x IGBT Transistor FAIRCHILD TO-247, FGH60N60SMD, original und neu.
- Ausländisches ProduktNein
- MarkeON Semiconductor
- Modifizierter ArtikelNein
- AngebotspaketNein
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Miele ELP-265 ELP-266 ELP-270 ELP260 ELP262 W587X W588X W589X Ersatzteile Kit
- Min. Betriebstemperatur-55°C
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-4 V
- ProduktartIGBT
- GehäuseformD2PAK
- Strommax. 20A
- Spannung600V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-10 V
- HerstellernummerGB10NC60KD
- MarkeSTMicroelectronics
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Max. Betriebstemperatur150°C
- GehäuseTO
- Leistungmax. 65W
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom20 A
- TransistortypN-Channel
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HGTG12N60A4D Fairchild IGBT 600V 54A 167W TO247 NEW BP
- MarkeFairchild
- HerstellernummerHGTG12N60A4D
- KonfigurationKomplex
- Transistor-TypIGBT
- Maximale Betriebstemperatur125 °C
- Minimale Betriebstemperatur-20 °C
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- ProduktartIGBT
- MontageartPCB-Montage
- Anzahl der Pins3
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- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummerirg4bc20ud
- MarkeInternational Rectifier
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Pins3
- MontageartEinzelmontage
- Gehäuseto 220
- Serieirg
- Maximaler DC Kollektorstrom18A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
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IKW40N65H5 IGBT TRENCHSTOP 650V 74A 255W TO247
- HerstellernummerIKW40N65H5FKSA1
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
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CM100DY-24A IGBT MODULE DUAL 1200V 100A MITSUBISHI 716203
- MarkeMITSUBISHI
- HerstellernummerCM100DY-24A
- Volt1200V
- Amper100A
- EAN4251192726773
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IXGR48N60C3D1 IXYS IGBTs mit FRED 600V 56A 125W TO247 NEW BP
- MarkeIXYS
- HerstellernummerIXGR48N60C3D1
- KonfigurationKomplex
- Transistor-TypIGBT
- Maximale Betriebstemperatur125 °C
- Minimale Betriebstemperatur-20 °C
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- ProduktartIGBT
- MontageartPCB-Montage
- Anzahl der Pins3
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IGBT-Modul Hitachi MBN1200E33C 3300 V 1200 A Einzelschalter, neu
- HerstellernummerMBN1200E33C
- Maximale Betriebstemperatur+125 °C
- Maximale Basis-Emitter Spannung20 V
- Kollektor-Emitter3300 V
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannungxxx
- ProduktartIGBT
- Länge190
- Höhe38 mm
- Maximale Basis-Emitter-Spannung20 V
- KonfigurationEinfach
- Anzahl der Einheiten1
- Maximaler DC Kollektorstrom1200 A
- Minimale Betriebstemperatur-40°C
- MaßeinheitEinheit
- Minimale Gleichstromverstärkung1200
- Kollektor-Emitter-Spannung3300V
- Transistor-TypIGBT
- SerieMBN
- Breite140 mm
- TransistortypIGBT
- MarkeHitachi
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