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2MBI300N-120 FUJI IGBT Modul Dual Power Module 1200V 300A New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI300N-120, 2MBI300N
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom300 A
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Mitsubishi CM50DU-24F IGBT Module 1200V 50A NChannel R6-D13
- MarkeMitsubishi
- HerstellernummerCM50DU-24F
- Volt1200V
- Amper50A
- EAN4251192715371
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10x IGBT 100A 600V 714W K100T60 IKQ100N60T TO247 Power Module IRGP4660D IRF
- Maximale Basis-Emitter Spannung-10 V
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Verlustleistung60 W
- GehäuseTO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom100 A
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2MBI75VA-120-50 Fuji Power IGBT Modul 1200V 75A Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI75VA-120-50, 2MBI75VA-120, 2MBI75VA-, 2MBI75VA, 2MBI75VA120, 2MBI75VA 120 50, 2MBI75VA 120
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Herstellungsland und -regionJapan
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom75 A
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10 IGBT 100A 600V 714W K100T60 IKQ100N60T TO247 Power Module FGA60N65SMD FET
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 15A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom15 A
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F3L15R12W2H3B27 IGBT Modul Infineon
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- HerstellernummerF3L15R12W2H3_B27
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SKiiP23NAB126V1 SEMIKRON Modul IGBT DiodeTransistor buck chopper 1,2kV 31A
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom1,2 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1,2 kV
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APT100GT60JR Microsemi Thunderbolt IGBT 600V 148A SOT-227 Power Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT100GT60JR, APT100GT60
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom148 A
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IXYS MID145-12A3 IGBT Module
- MarkeIXYS
- Herstellernummer194-401
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom12 A
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IGBT Modul N-Series Fuji Electric 2MBI75N-120 75A 1200V
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom75A
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Semikron SKM50GB12T4 Dual Half Bridge IGBT Module, 81 A 1200 V 0,055
- HerstellernummerSKM50GB12T4
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartDual Half Bridge IGBT Module
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BSM400GB60DN2 Eupec Infineon IGBT Modul 600V 400A Power Module New
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-400 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerBSM400GB60DN2, BSM400GB60DN, BSM400GB60D, BSM400GB60, BSM400GB6, BSM400GB, BSM400G, BSM400
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom400 A
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2MBI900VXA-120E-54 2MBI900VXA Fuji Power Module 1200V 900A IGBT 2 in 1 Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI900VXA-120E-54, 2MBI900VXA-120E54, 2MBI900VXA-120E 54, 2MBI900VXA120E 54, 2MBI900VXA 120E 54, 2MBI900VXA120E54, 2MBI900VXA120, 2MBI900VX-A120, 2MBI900VXA-120, 2MBI900VXA-120E, 2MBI900VXA, 2MBI900V, 2MBI900
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom900 A
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Modul IGBT Urmax 1,2kV boost chopper DiodeTransistor Ic 30A IXA30RG1200DHG
- Packungsgröße2 Stk. / Verpackung
- HerstellerIXYS
- Modul-TypIGBT
- Topologieboost
- Kollektor-Emitter-Strom30A
- Verlustleistung147W
- Kollektorstromim
- Strukturdes
- GehäuseSMPD-B
- TechnologieSonic
- ElektrischeMontage:
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Infineon FP50R06KE3 IGBT Module 600V 50A100A EconoPIM 2
- MarkeInfineon
- HöheInfineon
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APT200GT60JR Microsemi Modul 600V 200A IGBT Module SOT-227
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT200GT60JR, APT200GT60
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom60 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
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SK60GAL125 SEMIKRON Ultrafast IGBT Module 51A 1200V SEMITOP New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerSK 60 GAL 125, SK60GAL125
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- GehäuseSEMITOP
- Maximaler DC Kollektorstrom51 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
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MG8J6ES1 Toshiba IGBT Power Module 600V 8A
- Maximale Basis-Emitter Spannung-6 V
- HerstellernummerMG8J6ES1
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung1,0 V
- MarkeToshiba
- ProduktartIGBT
- MaßeinheitEinheit
- Maximaler DC Kollektorstrom8 A
- Anzahl der Einheiten1
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STGIPN3H60-E STMicroelectronics IGBT 3 Phasen 600V 3A 26-PowerDIP Modul 740123
- MarkeSTMicroelectronics
- HerstellernummerSTGIPN3H60-E
- ProduktartIGBT
- EAN4251192740601
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1 Stück FP15R12YT3 Infineon IGBT Module Q67330A 946A 1
- HerstellernummerFP15R12YT3
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
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PS21997-4 MITSUBISHI Ipm IGBT Modul
- MarkeMitsubishi
- ProduktartIGBT
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Semikron SKM400GA12V IGBT - Modul SEMITRANS 4 Einzeln Standard 1200 V
- MarkeSemikron
- ProduktartIGBT - Modul
- Transistor-TypTrench
- Herstellernummer22892103
- Anzahl der Einheiten0
- Länge100
- FarbeMulti
- EAN2050001655875
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Infineon DD1200S17H4B2 IGBT-Modul Neu in OVP
- HerstellernummerDD1200S17H4_B2
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- MontageartOberflächenmontage
- VerpackungKarton OVP
- Spitzenstrom2400A
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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BSM150GT120DN2 INFINEON IGBT MODULE - ORIGINAL
- FunzioneDi potenza
- Marcainfineon
- ModelloBSM150GT120DN2
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 200A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom200 A
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MMN1000HB75DC MACMIC Power Module Similar GHB IGBT Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerMMN1000HB75DC
- MarkeMACMIC
- ProduktartIGBT
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Modul IGBT DiodeTransistor Urmax 1,2kV boost chopper Ic 43A IXA40RG1200DHG
- Packungsgröße2 Stk. / Verpackung
- HerstellerIXYS
- Modul-TypIGBT
- Topologieboost
- Kollektor-Emitter-Strom43A
- Verlustleistung215W
- Kollektorstromim
- Strukturdes
- GehäuseSMPD-B
- TechnologieSonic
- ElektrischeMontage:
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CM100DY-24A IGBT MODULE DUAL 1200V 100A MITSUBISHI 716203
- MarkeMITSUBISHI
- HerstellernummerCM100DY-24A
- Volt1200V
- Amper100A
- EAN4251192726773
* Affiliate-Link zur Verkaufsplattform eBay
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