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4GB DDR3 RAM Speicher Sony Vaio VPCF11M1E VPCEC1S1E - Samsung Original 1333 Mhz
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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4GB DDR3 RAM Speicher Sony Vaio VPCF11M1E VPCEC1S1E - Samsung Original 1333 Mhz
- Kapazität pro Modul4 GB
- MarkeSamsung
- Herstellernummer4GB_VPCF11M1E
- ProduktartDDR3 SDRAM
- EAN4250591485946
- Artikelnr.360247699174
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Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Sony Vaio VPCEC1S1E.
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- SpeichertypDDR3-SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Gesamtkapazität16 GB
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- MarkenkompatibilitätFür Sony
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- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität4 GB und mehr
- BesonderheitenUnbuffered
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- HerstellernummerM471B1G73QH0-CH9
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- ModellSam_2x8GB
- HerstellergarantieLebenszeit
- Anzahl der Speichermodule1
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 204-pol.
- Kapazität pro Modul8 GB
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Pins204
- MarkeSamsung
- EAN4069043806969
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- FormfaktorDIMM 204-pol.
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- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Pins204
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- ModellSam_2x8GB
- HerstellergarantieLebenszeit
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorDIMM 204-pol
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8GB
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- AngebotspaketNein
- Herstellergarantie2 Jahre
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- MarkeSamsung
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