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8GB Asus F552E Arbeitsspeicher DDR3 SODIMM Ram 1333 MHz Notebook Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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8GB Asus F552E Arbeitsspeicher DDR3 SODIMM Ram 1333 MHz Notebook Speicher
- MarkeBEST Electronics
- ProduktartDDR3 SDRAM
- HerstellernummerBEST726154
- FormfaktorDIMM 204-pol
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität8GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- AngebotspaketNein
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Pins204
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC Speicher, Unbuffered, 1.50 Volt
- EAN4062331835481
- Artikelnr.134992260538
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Das Modul wurde von uns für Asus F552E zertifiziert und freigegeben. Er entspricht dessen Qualitäts - und Systemanforderungen. Maximaler Arbeitsspeicher: 16GB. Neuere Speicher Technologien, bzw. Modul Größe: 8GB.
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570210
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM471B1G73QH0-CH9
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4250591497994
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- MarkeB&W
- HerstellernummerTED3L8G1600C11-S01
- HerstellerB&W
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Herstellernummer4x8GB_12,1 12,2
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module4
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
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- HerstellernummerKVR1333D3N9/2G
- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM 240-pol.
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- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MPNM471B1G73BH0-CH9
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
- BesonderheitenUnbuffered
- Herstellernummer2x8GB_X121e / X220t
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- AnwendungsbereichMacBook Pro 2011 + iMac 2011 + mac mini 2011
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
- Kapazität pro Modul8 GB
- BesonderheitenUnbuffered
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- Apple kompatibelJa
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
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8GB DDR3 1333MHz Ram Speicher für Toshiba Z830 SO-DIMM
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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