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4GB DDR3 Samsung RAM 1333 Mhz Lenovo ThinkPad Edge E520 E520s SO-DIMM Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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4GB DDR3 Samsung RAM 1333 Mhz Lenovo ThinkPad Edge E520 E520s SO-DIMM Speicher
- MarkeSamsung
- MPNM471B5273DH0-CH9
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität4096
- ZustandNeu
- EAN4250591482488
- Artikelnr.270965074251
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Lenovo ThinkPad Edge E520s. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher.
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570227
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5 V - Notebook Laptop Memory CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerM471B1G73QH0-CH9
- MarkeSamsung
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Anzahl der Einheiten2
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- ProduktartDDR3 SODIMM
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- Anzahl der Module1
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- FormfaktorDIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Gesamtkapazität8 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C
- ModellHMT351S6BFR8C
- Anzahl der Pins204
- EAN4057719210370
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- Herstellernummer2GB_RAM Notebook
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität2048
- BesonderheitenUnbuffered
- ZustandNeu
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- MarkeTeam Group
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- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Herstellernummer4x8GB_12,1 12,2
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module4
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4250591487629
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- MarkeHynix
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Kapazität2048
- BesonderheitenUnbuffered
- ZustandNeu
- Herstellernummer2GB_1215PN
- EAN4250591480354
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2GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-2G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität2GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
- EAN4262360570883
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- FormfaktorDIMM 204-pol.
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Kapazität pro Modul4 GB
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- EAN4711148594837
- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerG.Skill
- ModellbezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BauformSO-DIMM
- Kapazität8.192 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-ArtikelnummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- LieferzustandLite Retail
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g41
- Gewicht41 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.041
- Gewicht inkl. Verpackung41 g
- Globale BezeichnungF3-10666CL9D-8GBSQ
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- HerstellernummerF3-10666CL9D-8GBSQ
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz Laptop Speicher Intel AMD (2x 4GB)
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V Notebook Laptop Speicher CL9
- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz 1.5 V Notebook Memory CL9 (2x 4GB)
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
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- Busgeschwindigkeit1333MHz PC3L-10600S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- MarkenkompatibilitätFür Acer
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- EAN4250591400062
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PHSmemory 4 GB DDR3 1333 MHz SODIMM NotebookRAM
- Markephs
- ProduktartSpeicher
- Formfaktorkeine angabe
- Anzahl der Modulekeine angabe
- Kapazität pro Modulkeine angabe
- Gesamtkapazitätkeine angabe
- Busgeschwindigkeitkeine angabe
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- MarkeHynix
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Kapazität2048
- BesonderheitenUnbuffered
- ZustandNeu
- Herstellernummer2GB_210-2200
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- HerstellernummerBEST675491
- FormfaktorDIMM 204-pol
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- Gesamtkapazität8GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
- AngebotspaketNein
- Herstellergarantie2 Jahre
- Anzahl der Pins204
- Speicher-EigenschaftenNon-ECC Speicher, Unbuffered, 1.35 Volt
- EAN4062331839960
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
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- BesonderheitenUnbuffered
- FormfatkorDIMM 204-pol.
- Apple kompatibelJa
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- Artikel-ID - Artikel ZustandNeu
- CLP-GefahrenpiktogrammProdukt fällt nicht unter die CLP-Verordnung.
- Speicher Allgemein - SpeicherstandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HerstellerMushkin
- Modellbezeichnung991647
- BauformSO-DIMM
- Kapazität4.096 MB
- TypSDRAM-DDR3
- Anschluss204-Pin
- Spannung1,5 V
- StandardDDR3-1333 (PC3-10600)
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- Hersteller-Artikelnummer991647
- FunkanlagengesetzpflichtNein
- Gewicht in g23
- SerieEssentials
- Gewicht23 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.023
- Gewicht inkl. Verpackung23 g
- Globale Bezeichnung991647
- BusgeschwindigkeitPC3-10666 (DDR3-1333)
- Herstellernummer991647
- MarkeMushkin Enhanced
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module1
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- Ausländisches ProduktNein
- Kapazität pro Modul4 GB
- AngebotspaketNein
- Modifizierter ArtikelNein
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- Händlergarantie10 Jahre
- Apple kompatibelJa
- EAN4053044743873
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- MarkeHynix
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