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Micron DDR4 4GB DDR4 RAM Arbeitsspeicher SO DIMM 3200 MHz CL22 1,2 Volt
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Micron DDR4 4GB DDR4 RAM Arbeitsspeicher SO DIMM 3200 MHz CL22 1,2 Volt
- HerstellernummerMTA4ATF51264HZ-3G2R1
- MarkeMicron Technology
- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins260
- Herstellungsland und -regionChina
- EAN0688187942254
- Artikelnr.256097197179
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RAM DDR4 Micron 4GB DDR4 SO DIMM 3200 MHz CL22. DDR4 SODIMM 260pin. Modul mit 4 GB 3200 MHz (PC4-25600). Das Symbol der durchgekreuzten Mülltonne bedeutet, dass die Batterie nicht in den Hausmüll gegeben werden darf.
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- MarkeFanxiang
- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorUDIMM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul16 GB
- Gesamtkapazität32 GB
- BusgeschwindigkeitPC4-28800 (DDR4-3600)
- ModellFanxiang UD11
- Speicher-EigenschaftenFully Buffered
- HerstellernummerFanxiang DDR4
- Anzahl der Einheiten1
- MaßeinheitEinheit
- Anzahl der Pins288
- Herstellungsland und -regionChina
- HerstellergarantieLebenszeit
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8GB DDR3 1600Mhz PC3-12800 240 Pin DIMM Crucial RAM CL11 Arbeitsspeicher für PC
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- Anzahl der Pins240
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- Länge13,4 cm
- FormfaktorDIMM
- Höhe3,12 cm
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Breite0,08 cm
- HerstellernummerCT102464BA160B
- MarkeCrucial
- ModellCT102464BA160B
- CAS Latency (CL)11
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-Eigenschaftenunbuffered, Non ECC, Non Registered
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN3664870479464
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Samsung 8GB DDR3 2RX8 PC3L-12800S-11-11-F3 RAM Speicher 1.35V Notebook
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- MaßeinheitEinheit
- Herstellergarantie1 Monat
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- HerstellernummerM471B1G73BH0-YK0
- MarkeSamsung
- Herstellungsland und -regionChina
- ModellM471B1G73BH0-YK0
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul8 GB
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- Kapazität pro Modul8 GB
- Gesamtkapazität32 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Speichermodule1
- Herstellernummer8GB_DDR3_PC_NEU
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM
- Anzahl der Module1
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins240
- EAN0760557824268
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- Gesamtkapazität8GB
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4
- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
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- HerstellernummerM471A5244CB0-CWE
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR4 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- Gesamtkapazität4 GB
- Anzahl der Pins260
- EAN0850001401784
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- MarkeG.Skill
- Gesamtkapazität32 GB
- HerstellernummerF4-2400C15Q-32GVR
- EAN4719692003232
- HerstellerG.Skill
- ProdukttypArbeitsspeicher
- Farberot
- ModellbezeichnungF4-2400C15Q-32GVR
- Kapazität pro Modul32 GB
- SerieRipjaws V
- BauformDIMM
- Kapazität32.768 MB
- TypSDRAM-DDR4
- Anschluss288-Pin
- Spannung1,2 V
- ProduktartDDR4 SDRAM
- StandardDDR4-2400 (PC4-19200)
- Anzahl der Module4
- HauptfarbeRot
- Hersteller-ArtikelnummerF4-2400C15Q-32GVR
- Artikel-ID - Warengruppe3SLAF
- Beschreibung - SerieRipjaws V
- Gewicht inkl. Verpackung218 g
- Speicher Allgemein - Anzahl Module4
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt1.200 MHz
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,2 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,2 V
- Speicher Features - XMPJa
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- Anzahl der Speichermodule1
- Herstellernummer8GB_DDR3_SO_NEU
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellDDR3
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- EAN4713294224415
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
- HerstellernummerF4-3200C16D-32GIS
- MarkeG. SKILL
- ProduktartDDR4 SDRAM
- Gesamtkapazität32GB
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- Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
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- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
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- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität16 GB
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- FormfaktorSO DIMM 260-pol.
- Kapazität pro Modul16GB
- BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- EAN4053044723158
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- BesonderheitenUnbuffered
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