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8GB DDR3L 1600 Mhz RAM f. HPCompaq EliteBook 820 G1 PC3L-12800S Speicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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8GB DDR3L 1600 Mhz RAM f. HPCompaq EliteBook 820 G1 PC3L-12800S Speicher
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- Kapazität4 GB und mehr
- BesonderheitenUnbuffered
- MarkeSamsung
- Herstellernummer8GB_HP_EliteBook_G1_G2_G3
- EAN4053044754916
- Artikelnr.352481602110
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SAMSUNG DDR3 Speicher sind mit sämtliche Notebooks mit 204-Pin 8GB DDR3 Slots kompatibel. Es müssen auf jeden Fall zwei zugängliche Speicherplatz vorhanden sein. SO-DIMM DDR3L PC3-12800 1600Mhz 204pin CL11.
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN6495273180001
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
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- MarkeSamsung 3rd
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- FormfaktorSO-DIMM
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- FormfaktorSO-DIMM
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- Anzahl der Module1
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- Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
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- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
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- EANnichtzutreffend
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- HerstellernummerDMQ-1x8GB-PC3L-12800S-GN
- MarkeDUOMEIQI
- ProduktartDDR3
- ModellDUOMEIQI 8GB 2RX8 PC3L-12800S
- Gesamtkapazität8 GB
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- Anzahl der Einheiten1
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- EAN4053044709725
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- HerstellernummerM471B1G73DB0YK0X2
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- ModellSamsung 16GB Dual Channel Kit 2 x 8 GB
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module2
- Speicher-EigenschaftenDual Channel-fähig, unbuffered, unbuffered, non-ECC
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
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- Bustaktrate1600 MHz
- Latenz (CL)CL11
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Spannung1.35V
- UnbufferedJA
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
- MarkeBRAINZAP
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Gesamtkapazität8GB
- Anzahl der Module1
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- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- Kapazität pro Modul8GB
- Chip-Anordnung2Rx8
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- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3L
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- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- BrandEnroc
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