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2x 4GB 8GB DDR3 HYNIX RAM 1333 Mhz für APPLE iMac 12,1 12,2 (2011) PC3-10600S
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2x 4GB 8GB DDR3 HYNIX RAM 1333 Mhz für APPLE iMac 12,1 12,2 (2011) PC3-10600S
- MarkeHynix
- Kapazität4 GB und mehr
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- AnwendungsbereichApple iMac 2011
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- Herstellernummer2x4GB_iMac 12,1 12,2
- EAN4250591489555
- Artikelnr.371054757053
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Speicher (SO-DIMMs). Speicher (DIMMs). Apple Speicher. Diese Speicher sind am besten für Kunden geeignet, die auf absolute Stabilität und beste Leistung zum fairen Preis Wert legen. Diese DDR3-1333Mhz Module von HYNIX sind auf den genannten Apple(R) Modellen kompatibel.
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- MarkeBRAINZAP
- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPc3-10600S
- SpeicherbandbreitePc3-10600S
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
- CAS-LatenzCL9
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul4GB
- Gesamtkapazität8GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
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- EAN4262360570227
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8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333MHz Laptop Speicher Intel AMD (2x 4GB)
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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- Bustaktrate1333 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3-10600S-9
- JEDEC NormPC3-10600S
- Spannung1.5V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- artikelgewicht20 g
- produktabmessungen6,6 x 3,05 x 0,25 cm; 20 gramm
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- farbeddr3 1333 2 x 8 gb sodimm blue
- speicher-artddr3 sdram
- MarkeUnbranded
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- HerstellernummerKVR1333D3S8S9/2G
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- Kapazität2 GB
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MPNM471B5773DH0-CH9
- SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- ZustandNeu
- EAN4053044706465
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- Herstellernummer2x8GB_M6500
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität4 GB und mehr
- BesonderheitenUnbuffered
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- MarkeSamsung
- Herstellernummer2GB_RAM Notebook
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
- Kapazität2048
- BesonderheitenUnbuffered
- ZustandNeu
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- HerstellernummerBS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- SpeicherbandbreitePC3-10600 (DDR3-1333)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul4GB
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- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1333 MHz
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- JEDEC NormPC3-10600S
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- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL9
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- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- Händlergarantie10 Jahre
- Apple kompatibelJa
- Gesamtkapazität4 GB
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul4 GB
- Anzahl der Pins204
- EAN4053044743873
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
- HerstellernummerHMT351S6BFR8C-H9
- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
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2x 4GB 8GB DDR3 1333 Mhz RAM Speicher Samsung R730 R780 PC3-10600S
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- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichNotebooks
- SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
- Herstellernummer2x4GB_R730 R780
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- HerstellernummerBS-D3-2G-SO-1333-2RX8-N
- BusgeschwindigkeitPC3-10600 (DDR3-1333)
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