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GamerRAM RZX 2x 8GB SO DIMM DDR3L 1600Mhz PC3-12800S 1,35V NEU
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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GamerRAM RZX 2x 8GB SO DIMM DDR3L 1600Mhz PC3-12800S 1,35V NEU
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3L-SDRAM, SO-DIMM
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3L-1600 (PC3-12800)
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- HerstellernummerRZX-D3D11M
- MarkeRzx
- AnwendungsbereichNotebooks
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- Anzahl der Einheiten2
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN4053044752585
- Artikelnr.127269271206
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- Länge13,4 cm
- FormfaktorDIMM
- Höhe3,12 cm
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Breite0,08 cm
- HerstellernummerCT102464BA160B
- MarkeCrucial
- ModellCT102464BA160B
- CAS Latency (CL)11
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Speicher-Eigenschaftenunbuffered, Non ECC, Non Registered
- Kapazität pro Modul8 GB
- EAN3664870479464
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- Anzahl der Pins204
- MaßeinheitEinheit
- Herstellergarantie1 Monat
- FormfaktorSO-DIMM
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- HerstellernummerM471B1G73BH0-YK0
- MarkeSamsung
- Herstellungsland und -regionChina
- ModellM471B1G73BH0-YK0
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Anzahl der Einheiten1
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- HerstellernummerBS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- SpeicherbandbreitePC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-12800S-11
- JEDEC NormPC3L-12800S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL11
- CAS-LatenzCL11
- UnbufferedJA
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- Gesamtkapazität8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Speichermodule1
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- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorDIMM
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- ModellDDR3
- Anzahl der Pins240
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- MarkeIntel
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- FormfaktorSO-DIMM
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- ModellDDR3
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- Anzahl der Pins204
- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MaßeinheitEinheit
- FormfaktorSO-DIMM
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität16 GB
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- Anzahl der Einheiten1
- Kapazität pro Modul16 GB
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
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- BesonderheitenUnbuffered
- TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
- MaßeinheitEinheit
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- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität32 GB
- Anzahl der Module2
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- Kapazität pro Modul16 GB
- EAN4053044725459
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- MarkeKingston
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Gesamtkapazität16 GB
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- Herstellergarantie10 Jahre
- FormfaktorDIMM
- HerstellernummerKVR16N11/8
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- Anzahl der Pins240
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- MarkeHynix
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Module2
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- Kapazität pro Modul8 GB
- Gesamtkapazität16 GB
- ModellHMT41GS6AFR8A-PB
- Anzahl der Pins204
- Herstellergarantie10 Jahre
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- EAN4070605000015
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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- Anzahl der Einheiten1
- EAN4053044723158
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
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- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Speichermodule1
- Anzahl der Pins240
- Speichertyp:unbuffered, Non-ECC, DIMM, Desktop Memory
- Höhe:3,12 cm
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- HerstellernummerCT102464BA160B
- MarkeCrucial
- ModellCT102464BA160B
- EAN3664870479464
- Herstellungsland und -regionUnbekannt
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- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Custom BundleNo
- MPNCT102464BF160B
- Item Length68mm
- FormfaktorSO-DIMM
- Memory FeaturesNon-ECC Unbuffered
- Form FactorSO-DIMM
- HerstellernummerCT102464BF160B
- Manufacturer WarrantyLifetime
- Voltage1.35V
- Item Height30mm
- Number of Pins204
- Buffered/RegisteredUnbuffered
- Item Width3mm
- Kapazität pro Modul8 GB
- ECCNo
- Capacity per Module8GB
- Rank2Rx8
- BrandCrucial
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- TypeDDR3L
- MarkeCrucial
- Number of Modules1
- ModellCT102464BF160B
- CAS Latency11
- ModelCrucial 8GB DDR3L 1600MHz
- Gesamtkapazität8 GB
- Anzahl der Module1
- Bus SpeedPC3L-12800 (DDR3L-1600)
- Country/Region of ManufactureChina
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- HerstellernummerM378B1G73EB0-YK0
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3L SDRAM
- Gesamtkapazität8 GB
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- HerstellernummerM378B1G73QH0-CK0
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
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