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Hynix 8Gb Ram Speicher 2666MHz DDR4 HMA81GS6JJR8N-VK Notebook IMac Laptop 260Pin

Hynix 8Gb Ram Speicher 2666MHz DDR4 HMA81GS6JJR8N-VK Notebook IMac Laptop 260Pin

 
  • MarkeHynix
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC4-21300 (DDR4-2666)
  • Anzahl der Module1
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • FormfaktorSO-DIMM
  • HerstellernummerHMA81GS6JJR8N-VK
  • ModellHMA81GS6JJR8N-VK
  • Anzahl der Pins260
  • EAN4057208145596
  • Artikelnr.194501662189
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Hynix 8Gb Ram Speicher 2666MHz DDR4 HMA81GS6JJR8N-VK Notebook Laptop 260Pin Wir bieten Ihnen hier den 100% kompatiblen RAM für Ihre Gerät an. Den Arbeitsspeicher erweiterten, ist eine einfache und günstigste Methode, um mehr Leistung aus Ihrem Computer oder Laptop herauszuholen. Profitieren Sie von schnelleren Zugriffszeiten auf Programme und Dateien und erhöhen Sie die Multitasking-Fähigkeit durch mehr Hauptspeicher. Vor allem Notebooks profitieren von einer Speicher-aufrüstung. Durch die Verwendung von DRAM-Bausteinen mit der aktuellsten und schnellsten Technologie erhalten Sie zusätzliche Sicherheitsreserven. Solange die verlangten RAM-Spezifikationen des Herstellers eingehalten werden, können bedenkenlos unterschiedliche Kapazität.

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  • MarkeSK hynix
  • ModellHMA851S6DJR6N
  • ProduktartDDR4 SO-DIMM
  • Anzahl der Pins260
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorSO-DIMM
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  • HerstellernummerHMA851S6DJR6N-XN
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  • ModellHMA851S6DJR6N-XN
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  • Gesamtkapazität8 GB
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  • FormfaktorSO-DIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • HerstellernummerHMAA1GS6CJR6N
  • FormfaktorSO-DIMM
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  • Händergarantie10 Jahre
  • Apple kompatibelJa
  • Gesamtkapazität8 GB
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Anzahl der Module2
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Höhe0.8 cm
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Händergarantie10 Jahre
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  • Anzahl der Module4
  • EAN4053044724506
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • HerstellernummerM391A1K43BB1-CRC
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR4 DRAM
  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • FormfaktorDIMM
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  • BesonderheitenDDR3L (Low Power)
  • EAN4053044705666
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Pins204
  • Länge9,4 cm
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Höhe0,6 cm
  • Breite12,6 cm
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • HerstellernummerHMT41GS6BFR8A-PB
  • MarkeHynix
  • ModellHMT41GS6BFR8A-PB
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • Kapazität4 GB und mehr
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
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  • AnwendungsbereichApple iMac 2010
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Herstellernummer2x4GB_iMac 11,2 11,3
  • EAN4250591489555
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
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  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
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  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
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  • EAN4250591487629
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Anzahl der Module1
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  • Herstellergarantie10 Jahre
  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Module2
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  • Herstellergarantie10 Jahre
  • BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
  • HerstellernummerHMT351S6BFR8C
  • ModellHMT351S6BFR8C
  • Anzahl der Pins204
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • Gesamtkapazität16 GB
  • ModellHMT41GS6AFR8A-PB
  • Anzahl der Pins204
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • EAN4057719194700
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  • HerstellernummerNicht zutreffend, HMT41GS6AFR8A-PB
  • MarkeHynix
  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • Gesamtkapazität16 GB
  • Anzahl der Pins204
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  • HerstellergarantieLebenszeit
  • ModellHMT41GS6AFR8A-PB
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  • MarkeHynix
  • HerstellernummerHynix_2x4GB_PC3L-12800S
  • FormfaktorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Händergarantie10 Jahre
  • Apple kompatibelJa
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • MarkeHynix
  • HerstellernummerHMA81GU7AFR8N-UH
  • Gesamtkapazität8 GB
  • BesonderheitenECC, Unbuffered
  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Anzahl der Module1
  • EAN4053044724810
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  • HerstellernummerHMCG66MEBSA095N
  • FormfaktorSO-DIMM
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  • Gesamtkapazität8GB
  • HerstellernummerHMA81GS6AFR8N-UH
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPNCT8G48FS824A
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Herstellungsland und -regionChina
  • EAN047114311646
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  • FormfaktorDIMM
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • HerstellernummerHMAA1GU6CJR6N-XN
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  • ModellHynix HMAA1GU6CJR6N-XN
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Speicher-Eigenschaftennon-ECC, unbuffered
  • Anzahl der Einheiten2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN5056103857008
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  • AnwendungsbereichNotebooks
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • FormfaktorSO-DIMM
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1066 (PC3-8500)
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  • SpeichertypDDR3-SDRAM
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  • Gesamtkapazität8MB
  • AnwendungsbereichServer & Workstations
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  • BesonderheitenECC, Unbuffered
  • Modifizierter ArtikelNein
  • Bustaktrate1600 Mhz
  • Kapazität8GB
  • SpeichertypDDR3-SDRAM
  • Ausländisches ProduktNein
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
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  • Kapazität pro Modul8GB
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • Bustaktrate3200 MHz
  • Speicher-SpezifikationPC4-3200
  • JEDEC NormPC4-3200
  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL22
  • CAS-LatenzCL22
  • UnbufferedJA
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