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Hynix 8GB DDR4 ECC RAM UDIMM PC4 2400 MHz für Microserver HMA81GU7AFR8N-UH

Hynix 8GB DDR4 ECC RAM UDIMM PC4 2400 MHz für Microserver HMA81GU7AFR8N-UH

 
  • MarkeHynix
  • HerstellernummerHMA81GU7AFR8N-UH
  • Gesamtkapazität8 GB
  • BesonderheitenECC, Unbuffered
  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Anzahl der Module1
  • EAN4053044724810
  • Artikelnr.362677620450
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  • Händergarantie10 Jahre
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  • Gesamtkapazität8 GB
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  • Höhe0.8 cm
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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  • EAN4053044724506
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • HerstellernummerM391A1K43BB1-CRC
  • MarkeSamsung
  • ProduktartDDR4 DRAM
  • Speicher-EigenschaftenECC-Speicher
  • FormfaktorDIMM
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • EAN4053044705666
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • Anzahl der Pins204
  • Länge9,4 cm
  • FormfaktorSO-DIMM
  • Höhe0,6 cm
  • Breite12,6 cm
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • HerstellernummerHMT41GS6BFR8A-PB
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  • ModellHMT41GS6BFR8A-PB
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • Kapazität4 GB und mehr
  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • BesonderheitenUnbuffered
  • SpeichertypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • AnwendungsbereichApple iMac 2010
  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
  • Herstellernummer2x4GB_iMac 11,2 11,3
  • EAN4250591489555
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • Herstellergarantie10 Jahre
  • FormfaktorSO-DIMM
  • HerstellernummerHMA81GS6JJR8N-VK
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  • Anzahl der Pins260
  • EAN4057208145596
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  • BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
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  • Gesamtkapazität8 GB
  • HerstellernummerHMT41GS6BFR8A-RD
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  • EAN4057719170650
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  • SpeicherbandbreiteDDR3-1333 (PC3-10600)
  • FormfatkorDIMM 204-pol.
  • BusgeschwindigkeitPc3-10600S
  • Herstellernummer1x8GB_10600S
  • MarkeHynix
  • Apple kompatibelJa
  • AnwendungsbereichNotebook mit Core i3/i5/i7 2. und 3. Generation
  • Gesamtkapazität8 GB
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  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN4250591487629
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  • ProduktartDDR4 SDRAM
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • ProduktartDDR3 SDRAM
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  • BusgeschwindigkeitPC3-10660 (DDR3-1333)
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  • Anzahl der Pins204
  • EAN4057719210370
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  • ModellHMT41GS6AFR8A-PB
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • EAN4057719194700
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  • Kapazität pro Modul8 GB
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  • Gesamtkapazität16 GB
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • HerstellergarantieLebenszeit
  • ModellHMT41GS6AFR8A-PB
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  • TypDDR3-SDRAM, SO-DIMM
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  • Gesamtkapazität8GB
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  • BesonderheitenUnbuffered
  • MPNCT8G48FS824A
  • Anzahl der Module1
  • FormfaktorSO DIMM 260-pol.
  • ProduktartDDR4 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC4-19200 (DDR4-2400)
  • Herstellungsland und -regionChina
  • EAN047114311646
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  • FormfaktorDIMM
  • BusgeschwindigkeitPC4-25600 (DDR4-3200)
  • HerstellernummerHMAA1GU6CJR6N-XN
  • MarkeHynix
  • ModellHynix HMAA1GU6CJR6N-XN
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
  • Gesamtkapazität8 GB
  • Anzahl der Module1
  • Speicher-Eigenschaftennon-ECC, unbuffered
  • Anzahl der Einheiten2
  • Kapazität pro Modul8 GB
  • EAN5056103857008
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  • MarkeSamsung
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  • AnwendungsbereichNotebooks
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  • HerstellernummerHMT41GU7AFR8A-PB
  • Gesamtkapazität8MB
  • AnwendungsbereichServer & Workstations
  • TypDDR3-SDRAM
  • FormfaktorDIMM 240-pol.
  • BesonderheitenECC, Unbuffered
  • Modifizierter ArtikelNein
  • Bustaktrate1600 Mhz
  • Kapazität8GB
  • SpeichertypDDR3-SDRAM
  • Ausländisches ProduktNein
  • ProduktartDDR3 SDRAM
  • BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
  • Herstellungsland und -regionSüdkorea
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  • Spannung1.2V
  • Chip-Anordnung1Rx8
  • Latenz (CL)CL22
  • CAS-LatenzCL22
  • UnbufferedJA
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