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2GB RAM DDR2 passend für Samsung NP-R522-FA01 SO DIMM 667MHz Notebook-Speicher
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2GB RAM DDR2 passend für Samsung NP-R522-FA01 SO DIMM 667MHz Notebook-Speicher
- MarkePHS-memory
- ProduktartDDR2
- FormfaktorSO DIMM 200 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit667MHz PC2-5300S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- MarkenkompatibilitätFür Samsung
- EAN4055069079692
- Artikelnr.291677020430
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Arbeitsspeicher Samsung NP-R522-FA01 2GB Arbeitsspeicher für den Samsung NP-R522-FA01. Weitere technische Speicherspezifikationen finden Sie in der Auflistung rechts. Dieser Arbeitsspeicher ist 100% kompatibel mit den Samsung NP-R522-FA01.
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität2GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S-666
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-667-N
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität2GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate667 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-5300S-555
- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL5
- CAS-LatenzCL5
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- MarkeSamsung
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Herstellungsland und -regionChina
- Anzahl der Pins200
- Apple kompatibelJa
- Gesamtkapazität2 GB
- Anzahl der Module1
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul2 GB
- EAN4250591480958
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul2GB
- Gesamtkapazität4GB
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Bustaktrate800 MHz
- Speicher-SpezifikationPC2-6400S-666
- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
- CAS-LatenzCL6
- UnbufferedJA
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- HerstellernummerCSX_2x2GB_KIT_667MHZ
- SpezifikationUnbuffered, Nicht-ECC
- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- Kapazität pro Modul2 GB
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
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- MPNSAMSUNG_2x2GB_667MHZ_FSC
- SpeichertypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- AnwendungsbereichNotebooks
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeicherbandbreiteDDR2-667 (PC2-5300)
- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität2048
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- ProduktartDDR2
- FormfaktorSO DIMM 200 Pin DIMM
- Busgeschwindigkeit800MHz PC2-6400S
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul2GB
- MarkenkompatibilitätFür Samsung
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- Spezifikation:Unbuffered, Nicht-ECC
- Apple kompatibelJa (2006/2007 Modelle)
- FormfaktorDIMM 200-pol.
- Kapazität pro Modul2 GB
- ProduktartDDR2 SDRAM
- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
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2GB Samsung Netbook Notebook RAM DDR2 SO-DIMM 667 Mhz PC2-5300 M470T5663QZ3-CE6
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- HerstellernummerM470T5663QZ3-CE6
- Kapazität2 GB
- SpeicherbandbreiteDDR2-667 (PC2-5300)
- FormfaktorDIMM 200-pol.
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- Kapazität pro Modul2 GB
- MPNM470T5663QZ3-CE6
- Händlergarantie10 Jahre
- SpezifikationenNicht ECC, Unbuffered
- ZustandNeu
- ProduktartDDR2 SDRAM
- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
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2GB DDR2 RAM SO-DIMM PC2-6400S-666-12-E3 2Rx8 800 MHz 1.8V Laptop Speicher CL6
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- HerstellernummerBS-D2-2G-SO-800-N
- BusgeschwindigkeitPC2-6400 (DDR2-800)
- SpeicherbandbreitePC2-6400 (DDR2-800)
- Anzahl der Module1
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- JEDEC NormPC2-6400S
- Spannung1.8V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL6
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- BusgeschwindigkeitPC2-5300 (DDR2-667)
- SpeicherbandbreitePC2-5300 (DDR2-667)
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- FormfaktorSO DIMM 200-pol.
- ProduktartDDR2 SDRAM
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- JEDEC NormPC2-5300S
- Spannung1.8V
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- SpeicherbandbreiteDDR2-800 (PC2-6400)
- BesonderheitenUnbuffered
- SpeichertypDDR2-SDRAM, Notebook
- AnwendungsbereichNotebooks
- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
- MPNHYNIX-2GB-DDR2-800
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- MarkenkompatibilitätFür Fujitsu
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- TypDDR2-SDRAM, SO-DIMM
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- Händlergarantie10 Jahre
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- FormfaktorSO DIMM 200 Pin DIMM
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