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Transistor N-MOSFET unipolar 50A 30V 136W PG-TO252-3 SPD50N03S207GBTMA1 N-Kan
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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Transistor N-MOSFET unipolar 50A 30V 136W PG-TO252-3 SPD50N03S207GBTMA1 N-Kan
- Packungsgröße1 Stk. / Verpackung
- Kanal-Artstark
- Transistor-TypN-MOSFET
- HerstellernummerSPD50N03S207GBTMA1
- HerstellerINFINEON
- Gate-SourceSpannung:
- Verlustleistung136W
- MontageSMD
- Polarisierungunipolar
- Drain-SourceSpannung:
- GehäusePG-TO252-3
- Widerstim
- Drainstrom50A
- Artikelnr.364325931460
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Gehäuse: PG-TO252-3. Verlustleistung: 136W. Polarisierung: unipolar. Technische Daten. Drainstrom: 50A. Transistor-Typ: N-MOSFET.
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- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
- Anzahl der Pins3
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- GehäuseTO-220
- Maximaler DC Kollektorstrom55 A
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- HerstellerECSiNG
- Garantierte Software-Updates bisunbekannt
- HerstellerreferenzBU-986
- EAN0313038023041
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- Anzahl der Pins3
- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseDPAK / TO-252AA
- Kollektor-Emitter-Spannung30 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung20 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung140 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- MontageartOberflächenmontage
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Spitzenstrom161 A
- Transistor-TypLeistungstransistor
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- Spannung100V
- GehäuseTO-220
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- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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- SerieSTP
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- GehäuseTO-220AB
- Kollektor-Emitter-Spannung55 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung16 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung110 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- MontageartDurchsteckmontage
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Spitzenstrom47 A
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- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRFZ44NPBF
- Spitzenstrom41A
- ProduktartTransistor
- SerieHEXFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Modifizierter ArtikelNein
- Drainstrom41A
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- Anzahl der Elemente pro Chip1
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- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseDPAK / TO-252AA
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung16 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung140 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- MontageartOberflächenmontage
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- Spitzenstrom42 A
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