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5 x IRFZ24N PBF Transistor N-MOSFET 55V 17A 45W TO220AB
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5 x IRFZ24N PBF Transistor N-MOSFET 55V 17A 45W TO220AB
- HerstellernummerIRFZ24NPBF
- MarkeInternational Rectifier
- Anzahl der Pins3
- Artikelnr.145798035813
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4,99
Pd – Verlustleistung = 45W. Anzahl der Kanäle = 1 Channel.
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- HerkunftslandChina
- HerstellerECSiNG
- Garantierte Software-Updates bisunbekannt
- HerstellerreferenzBU-986
- EAN0313038023041
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- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- MarkeInternational Rectifier
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- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
- Anzahl der Pins3
- Maximale Kollektor-Basis Spannung55 V
- Maximale Verlustleistung83 W
- GehäuseTO-220
- Maximaler DC Kollektorstrom55 A
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- Transistor-TypLeistungstransistor
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Kollektor-Basis Spannung200 V
- Maximale Verlustleistung330 W
- GehäuseTO-220
- Kollektor-Emitter-Spannung200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom65 A
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- Anzahl100er Pack
- MarkeINFINEON
- HerstellernummerIRLZ44NPBF
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Anzahl der Pins3
- BesonderheitenTTL, CMOS, Logic Level, N-Channel, Transistor
- GehäuseTO-220AB
- Kollektor-Emitter-Spannung55 V
- KonfigurationEinfach
- MaßeinheitEinheit
- Maximale Basis-Emitter Spannung16 V
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Verlustleistung110 W
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
- MontageartDurchsteckmontage
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Spitzenstrom47 A
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Unterstütztes GerätArduino, Raspberry Pi
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3 x IRFZ44N MOSFET N-Channel HEXFET 55V 41A 83W TO220AB Vers. aus BerlinDE
- GehäuseTO220AB
- MarkeInternational Rectifier
- Transistor-TypN-MOSFET
- MontageartDurchsteckmontage
- HerstellernummerIRFZ44NPBF
- Spitzenstrom41A
- ProduktartTransistor
- SerieHEXFET
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Modifizierter ArtikelNein
- Drainstrom41A
- Drain-Source Spannung55V
- RoHSja
- Anzahl der Pins3
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- Maximale Basis-Emitter Spannung-8 V
- MarkeInternational Rectifier
- Maximale Betriebstemperatur175 °C
- Maximale Kollektor-Basis Spannung-110 V
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- GehäuseTO-220
- Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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- BesonderheitenTTL-kompatibel (5V), TTL, CMOS, Logic Level, Logiklevel, N-Channel, Transistor
- HerstellernummerVerschiedene
- MaßeinheitEinheit
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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- Transistor-TypN-MOSFET
- ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Drainstrom47 A
- RoHSja
- HerstellernummerIRLZ44N
- MarkeInternational Rectifier
- Modifizierter ArtikelNein
- MontageartDurchsteckmontage
- Maximale Kollektor-Basis Spannung10 V
- Maximale Verlustleistung110 W
- Spitzenstrom47 A
- Drain-Source Spannung55V
- GehäuseTO-220AB
- SerieHEXFET
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- KonfigurationEinfach
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- GehäuseDPAK / TO-252AA
- Kollektor-Emitter-Spannung55 V
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