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Ampleon ART2K0FEU 65V 2kW RF MosFET LDMOS Keramik-Gehäuse ART2K0FE
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Ampleon ART2K0FEU 65V 2kW RF MosFET LDMOS Keramik-Gehäuse ART2K0FE
- Transistor-TypHochfrequenz-/HF-Transistor
- ProduktartN-Kanal LDMOS
- Maximale Betriebsfrequenz400 MHz
- Anzahl der Pins4
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- VerpackungSchnittband
- HerstellernummerART2K0FEU
- MarkeAmpleon
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- MontageartOberflächenmontage
- KonfigurationGemeinsame Source
- Maximale Verlustleistung2000 W
- GehäuseSOT-539A
- SerieART2K0FE
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
- Kollektor-Emitter-Spannung65 V
- Artikelnr.146238787192
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- Transistor-TypHochfrequenz-/HF-Transistor
- 12NC935318822578
- ProduktartN-Kanal LDMOS
- Maximale Betriebsfrequenz500 MHz
- Anzahl der Pins4
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- VerpackungSchnittband
- HerstellernummerMRF1K50NR5
- MarkeNXP
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- MontageartOberflächenmontage
- KonfigurationGemeinsame Source
- Minimale Gleichstromverstärkung23,4 dB
- Maximale Verlustleistung1500 W
- GehäuseOM-1230-4L
- SerieMRF1K50N
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
- Kollektor-Emitter-Spannung50 V
- Maximaler DC Kollektorstrom36 A
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- ProduktartN-Kanal LDMOS
- Maximale Betriebsfrequenz400 MHz
- Anzahl der Pins4
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- VerpackungSchnittband
- HerstellernummerMRFX1K80NR5
- MarkeNXP
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
- MontageartOberflächenmontage
- KonfigurationGemeinsame Source
- Minimale Gleichstromverstärkung24,4 dB
- Maximale Verlustleistung1800 W
- GehäuseOM-1230-4L
- SerieMRFX1K80N
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
- Kollektor-Emitter-Spannung65 V
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- Transistor-TypHochfrequenz-/HF-Transistor
- MarkeEricsson
- Maximale Betriebsfrequenz1.6 Ghz
- ProduktartLDMOS FET
- Anzahl der Pins3
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Maximale Verlustleistung440 W
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