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IXTH76N25T Transistor N-MOSFET unipolar 250V 76A 460W TO247-3 148ns IXYS

IXTH76N25T Transistor N-MOSFET unipolar 250V 76A 460W TO247-3 148ns IXYS

 
  • HerstellernummerIXTH76N25T
  • MarkeIXYS
  • HerstellerIXYS
  • MarkenkompatibilitätFür IXYS
  • ProduktartElektronik
  • EAN7437242553538
  • Artikelnr.195849042270
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Bereitschaftszeit: 148ns. Gehäuse: TO247-3. Boîtier: TO247-3. Polarisierung: unipolar. Fabricant: IXYS. Drainstrom: 76A. Courant du drain: 76A. Verlustleistung: 460W.

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  • HerstellernummerIXFH20N50P3
  • MarkeIXYS
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  • HerstellerIXYS
  • Transistor-TypN-MOSFET
  • TechnologieX2-Class
  • Polarisierungunipolar
  • Drain-SourceSpannung:
  • Drainstrom4A
  • Verlustleistung80W
  • GehäuseTO252
  • Gate-SourceSpannung:
  • Widerstim
  • MontageSMD
  • Gate-Ladung8.3nC
  • Verpackungs-ArtTube
  • Kanal-Artstark
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  • MarkeIXYS
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  • MarkeIXYS
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  • HerstellernummerIXTA3N120
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  • GehäuseTO-220FP
  • MarkeIXYS
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  • MontageartPCB-Montage
  • HerstellernummerIXFP18N65X2M
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Anzahl der Pins3
  • Maximale Verlustleistung36 W
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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  • ProduktartPower Mosfet
  • Anzahl der Pins3
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  • HerstellernummerIXFX26N120P
  • MarkeIXYS
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  • Herstellungsland und -regionVereinigte Staaten
  • MontageartDurchsteckmontage
  • Trr300 nS
  • Maximale Verlustleistung960 W
  • GehäuseTO-247-PLUS-3
  • ID2526 A
  • SerieIXFX
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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  • Maximale BetriebsfrequenzN/P
  • KonfigurationEinfach
  • Maximale Betriebstemperatur140 °C
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • Minimale Betriebstemperatur-40 °C
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Minimale GleichstromverstärkungN/P
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  • Anzahl der Pins3
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  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Transistor-TypLeistungstransistor
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  • HerstellernummerIXFP130N10T2
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  • Anzahl der Elemente pro Chip1
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  • Anzahl der Elemente pro Chip1
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  • HerstellernummerIXFP10N60P
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  • Maximale Betriebstemperatur140 °C
  • KonfigurationEinfach
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  • Maximale Verlustleistung200 W
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  • SerieIXFP
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  • HerstellernummerIXFH12N50F
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • Drain-Source-Widerstand400 mOhm
  • GehäuseTO-247-3
  • ProduktartTransistor
  • Länge16,26 mm
  • Maximale Verlustleistung180 W
  • Höhe21,46 mm
  • MontageartDurchsteckmontage
  • Anzahl der Elemente pro Chipkeine Angabe
  • Abfallzeit8 ns
  • Anstiegszeit14 ns
  • KonfigurationSingle
  • Maximale Betriebsfrequenzkeine Angabe
  • TransistorpolungN-Kanal
  • Typische Einschaltverzögerungszeit11 ns
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
  • Minimale Gleichstromverstärkungkeine Angabe
  • Transistor-TypMOSFET
  • SerieHiPerRF
  • Gate-Source-Spannung±20 V
  • Drain-Gleichstrom12 A
  • Regelabschaltverzögerungszeit28 ns
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  • Maximale BetriebsfrequenzN/P
  • KonfigurationEinfach
  • Maximale Betriebstemperatur140 °C
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • Minimale Betriebstemperatur-40 °C
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Minimale GleichstromverstärkungN/P
  • MontageartPCB-Montage
  • Anzahl der Pins3
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  • MarkeIXYS
  • Anzahl der Einheiten2
  • HerstellernummerCPC3708CTR
  • Maximale BetriebsfrequenzN/P
  • KonfigurationEinfach
  • Maximale Betriebstemperatur140 °C
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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