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5 Stück IRF4905 P-Channel Power MOS-FET -55V -74A 200W TO-220

5 Stück IRF4905 P-Channel Power MOS-FET -55V -74A 200W TO-220

 
  • Maximale Betriebstemperatur+175 °C
  • GehäuseTO-220
  • Maximale Betriebsfrequenz4 MHz
  • Marke.
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • MontageartDurchsteckmontage
  • HerstellernummerIRF4905
  • Minimale Gleichstromverstärkung36,2 dB
  • ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Maximaler DC Kollektorstrom-74 A
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Pins3
  • Maximale Verlustleistung200 W
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
  • Artikelnr.284094583278
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5 Stück IRF4905 P-Kanal Leistungs-MOS-FET. I D Drain Current = -74A. Mit niedrigem R. DS(on) von 0,02-Ohm.

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  • Anzahl5 Stück
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  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • MarkeMarkenlos
  • Maximale Betriebstemperatur175 °C
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung-50 V
  • Maximale Verlustleistung50 W
  • GehäuseTO-220
  • Maximaler DC Kollektorstrom5 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung-50 V
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  • Transistor-TypP-MOSFET
  • Kanal-Artstark
  • ProduktartP-Kanal-Transistoren THT
  • Verpackungs-ArtTube
  • Gate-Ladung120nC
  • Drainstrom-74A
  • HerstellernummerIRF4905PBF
  • Gate-Source Spannung20V
  • Markeunbekannt
  • HerstellerINFINEON TECHNOLOGIES
  • Verlustleistung200W
  • MontageTHT
  • Drain-Source Spannung-55V
  • Technologie®
  • Polarisierungunipolar
  • Widerst im Leitungszust20mΩ
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  • HerstellernummerIRF4905STRLPBF
  • MarkeINTERNATIONAL RECTIFIER
  • HerstellerINTERNATIONAL RECTIFIER
  • MarkenkompatibilitätFür INTERNATIONAL RECTIFIER
  • ProduktartElektronik
  • EAN7429503015022
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  • Typ / TypeIRF5210
  • MarkeInternational Rectifier
  • Transistor-TypP Kanal HEXFET
  • MontageartDurchsteckmontage
  • HerstellernummerIRF
  • ProduktartPWM Mosfet
  • Anzahl der Einheiten2
  • GehäusegrößeTO-220
  • Pinanzahl3
  • TransistortypP-Kanal Mosfet
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  • Maximaler DC Kollektorstrom5 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung-200 V
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung-220 V
  • Maximale Verlustleistung200 W
  • Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • MarkeMarkenlos
  • Maximale Betriebstemperatur175 °C
  • Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäuseTO-220
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
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  • Transistor-TypP-MOSFET
  • Maximale Betriebsfrequenz4 MHz
  • ProduktartTransistor
  • Anzahl der Pins3
  • RoHSja
  • HerstellernummerIRF4905
  • MarkeInternational Rectifier
  • Modifizierter ArtikelNein
  • MontageartDurchsteckmontage
  • KonfigurationEinfach
  • Spitzenstrom74
  • Maximale Verlustleistung200 W
  • Drain-Source Spannung55V
  • GehäuseTO220AB
  • SerieHEXFET
  • Anzahl der Einheiten5
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  • HerstellernummerIRF4905PBF
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • MontageartPCB-Montage
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Minimale Betriebstemperatur-40 °C
  • Transistor-TypLeistungstransistor
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  • Anzahl der Pins3
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  • MarkenkompatibilitätFür INTERNATIONAL RECTIFIER
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  • MarkeINTERNATIONAL RECTIFIER
  • HerstellerINTERNATIONAL RECTIFIER
  • MarkenkompatibilitätFür INTERNATIONAL RECTIFIER
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  • GehäuseformTO-220-3
  • Spannungmax. -55V DC
  • MarkeInternational Rectifier
  • HerstellernummerIRF4905
  • Leistung200W
  • Widerstand20 mΩ
  • Minimale Betriebstemperatur-55°C
  • Maximale Betriebstemperatur175°C
  • Strommax. -74A
  • Gate-Spannung20V
  • Puls-Strommax. -260A
  • Body-Diode-74A
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  • ProduktartNicht vorhanden
  • HerstellernummerIRF4905PBF
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  • Breite2.800
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  • Anzahl der Einheiten3
  • MaßeinheitStk.
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  • MwSt.POPESQ
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  • MaßeinheitEinheit
  • MarkeInfineon
  • Anzahl der Einheiten2
  • HerstellernummerIRF4905PBF
  • KonfigurationEinfach
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • Minimale Betriebstemperatur-40 °C
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  • ProduktartP-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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  • HerstellernummerIRF4905PBF
  • KonfigurationEinfach
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