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2 IRF3205 International Rectifier MOSFET Transistor 55V 110A 200W 0,008R 854126

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  • MarkeInternational Rectifier
  • ProduktartN-Ch 55V 110A 200W 0,008R TO220AB
  • Anzahl der Einheiten2
  • MaßeinheitEinheit
  • HerstellernummerIRF3205PBF
  • Artikelnr.364092736185
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Technische Daten: N-Ch 55V 110A 200W 0,008R TO220AB. International Rectifier HEXFET® Power MOSFET Transistor. Funktion: HEXFET® Power MOSFET Transistor. Ultra Low On-Resistance.

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  • MarkeInternational Rectifier
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Maximale Betriebstemperatur175 °C
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäuseTO-220
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  • MarkeINTERNATIONAL RECTIFIER
  • HerstellerINTERNATIONAL RECTIFIER
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  • ProduktartElektronik
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  • Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-2 V
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Maximale Betriebsfrequenz1 MHz
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Maximale Basis-Emitter Spannung-8 V
  • MarkeInternational Rectifier
  • Maximale Betriebstemperatur175 °C
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung-110 V
  • Maximale Verlustleistung200 W
  • GehäuseTO-220
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
  • Kollektor-Emitter-Spannung-200 V
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  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • MarkeInternational Rectifier
  • Maximale Betriebstemperatur175 °C
  • Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-5,5 V
  • Maximale Kollektor-Basis Spannung-220 V
  • Maximale Verlustleistung200 W
  • GehäuseTO-220
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
  • Maximaler DC Kollektorstrom5 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung-200 V
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  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • HerstellernummerIRF, IRF3205, IRFZ44N
  • MarkeInternational Rectifier
  • ProduktartNPN PWM Mosfet IC
  • MontageartDurchsteckmontage
  • KonfigurationEinfach
  • Anzahl der Pins3
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Einheiten2
  • GehäusegrößeTO-220
  • TransistortypN-Kanal Mosfet
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  • EAN4251056003484
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  • MarkeIR
  • HerstellernummerIRF3205PBF
  • KonfigurationEinfach
  • Maximale Betriebstemperatur150 °C
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • Minimale Betriebstemperatur-55 °C
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • MontageartDurchsteckmontage
  • Anzahl der Pins3
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  • MarkeINTERNATIONAL RECTIFIER
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  • Packungsgröße1 Stk. / Verpackung
  • HerstellerINFINEON
  • Transistor-TypN-MOSFET
  • Polarisierungunipolar
  • Drain-SourceSpannung:
  • Drainstrom80A
  • Verlustleistung200W
  • Gate-SourceSpannung:
  • Widerstim
  • MontageTHT
  • Gate-Ladung146nC
  • Verpackungs-ArtTube
  • Kanal-Artstark
  • HerstellernummerIRF3205PBF
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  • MarkeINTERNATIONAL RECTIFIER
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  • Maximale Betriebstemperatur85 °C
  • GehäuseD2PAK
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • MontageartOberflächenmontage
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • KonfigurationEinfach
  • Minimale Betriebstemperatur-25 °C
  • Transistor-TypLeistungstransistor
  • MarkeMarkenlos
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  • Kollektor-Emitter-Spannung55 V
  • ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
  • Maximaler DC Kollektorstrom110 A
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  • Maximale Basis-Emitter Spannung14 V
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